電流検出ESRによるC面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察

Electrically detected magnetic resonance study on hydrogen depassivation from C-face interface defects in 4H-SiC(000) metal-oxide-semiconductor field effect transistors

荒井 亮*; 梅田 享英*; 佐藤 嘉洋*; 岡本 光央*; 原田 信介*; 小杉 亮治*; 奥村 元*; 牧野 高紘; 大島 武

Arai, Ryo*; Umeda, Takahide*; Sato, Yoshihiro*; Okamoto, Mitsuo*; Harada, Shinsuke*; Kosugi, Ryoji*; Okumura, Hajime*; Makino, Takahiro; Oshima, Takeshi

MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタとして一般的に用いられない4H-SiC(000)C面にWet酸化法でゲート酸化膜を形成することで、一般的なSi面を上回る電子移動度が得られることが知られている。その理由としては、水素を界面に導入することで界面順位(Dit)が減少した結果だと考えられているが、水素の役割やDitの起源についてはまだよくわかっていない。そこで、電流検出電子スピン共鳴(EDMR)を使ってC面MOSトランジスタの界面欠陥の分光評価を行った。その結果、界面の炭素原子に由来するC面固有欠陥を検出することができた。加えて線照射によって意図的にC面固有欠陥からの水素離脱を引き起こしEDMRによってC面固有欠陥を観察した。その結果、C面固有欠陥のEDMR信号強度は、線の照射量に応じて増加した。そして約6MGy程度で飽和し、その後減少した。この照射量はSi-MOSトランジスタで行った同様の実験に比べ1桁高く、SiC-MOSトランジスタはSiに比べて高い放射線耐性を示したと言える。また、照射試料の電流電圧特性測定より、C面固有欠陥がMOSトランジスタのしきい値電圧シフトの一つの要因であることを示した。

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