Influence of boron vapor on transport behavior of deposited CsI during heating test simulating a BWR severe accident condition

BWRのシビアアクシデント条件を模擬した条件での沈着CsIの移行挙動におけるホウ素蒸気の影響

佐藤 勇; 大西 貴士  ; 田中 康介  ; 岩崎 真歩; 小山 真一  

Sato, Isamu; Onishi, Takashi; Tanaka, Kosuke; Iwasaki, Maho; Koyama, Shinichi

シビアアクシデント時のCsとIの放出・移行挙動におけるBの影響を評価するために、沈着したCs/I化合物と蒸気/エアロゾルのB化合物の間の相互作用における基礎的な試験を実施した。Cs/I化合物及びB化合物としてそれぞれCsIとBOが使用された。温度423Kから1023Kに保持された温度勾配管(TGT)に沈着したCsIに蒸気/エアロゾルCsIがBOと反応させ、これによりCs/I沈着プロファイルがどのように変化するかを観察した。結果として、蒸気/エアロゾルCsIとBOは温度830Kから920Kに沈着したCsIの一部をはぎ取り、CsBOとIが生成したものと考えられる。加えて、ガス状Iは温度530K-740Kの部分で再沈着したが、CsBOは沈着せず、サンプリング管とフィルタを通り抜けている可能性がある。これは、BはCsのキャリアにCsBOとして影響し、Csをより温度の低い領域に移行させることを示していると考えられる。

In order to evaluate B influence on the release and transport of Cs and I during severe accidents, basic experiments have been performed on the interaction between deposited Cs/I compounds and vapor/aerosol B compounds. CsI and BO were utilized as a Cs/I compound and a B compound, respectively. Deposited CsI on the thermal gradient tube (TGT), which is exposed to temperatures ranging from 423 K to 1023 K was reacted with vapor/aerosol BO, and then observed to determine how it changed Cs/I decomposition profiles. As a result, vapor/aerosol BO stripped a portion of deposited CsI within a temperature range from 830 K to 920 K to make gaseous CsBO and I. In addition, gaseous I was re-deposited at a temperature range from 530 K to 740 K, while CsBO travelled through the sampling tubes and filters without deposition. It is implied that B influences Cs carriers such as CsBO to transport Cs to the colder regions.