/Si(001)界面酸化プロセスにおける熱歪みの寄与/Si(001) interfaces小川 修一*; Tang, J.*; 吉越 章隆 
; 石塚 眞治*; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*
Ogawa, Shuichi*; Tang, J.*; Yoshigoe, Akitaka; Ishizuka, Shinji*; Teraoka, Yuden; Takakuwa, Yuji*
Deal-GroveモデルはSiO/Si界面での熱酸化反応を取り込んでおらず、温度増加に伴う酸化促進機構は未だ不明のままである。本研究では、温度増加における酸化速度の活性化エネルギーを求め、界面酸化を検討した。活性化エネルギーは酸化温度に依存せず0.27eVであったが、この値はDeal-GroveモデルにおけるO拡散(1.2eV)や界面反応(2.0eV)では説明できない。一方、頻度因子は酸化温度が増加するほど減少した。これらの結果から酸化温度増加により熱応力が生じ、それを緩和するために発生した点欠陥が酸化反応サイトになると考える。
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使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2015/03 |
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: | 平塚 |
開催国 |
: | 日本 |
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