によるSiO/Si(001)界面酸化反応過程の分岐/Si(001) interface by molecularly-adsorbed O津田 泰孝 
; 吉越 章隆 ; 小川 修一*; 坂本 徹哉*; 高桑 雄二
Tsuda, Yasutaka; Yoshigoe, Akitaka; Ogawa, Shuichi*; Sakamoto, Tetsuya*; Takakuwa, Yuji
Siドライ酸化によるSiO膜の成長は、O分子がSiO表面に吸着し、SiO内部を拡散した後、SiO/Si界面で解離することで進行する。我々の提案した点欠陥発生を介した統合Si酸化反応モデルでは、界面酸化がLoop A(1段階、高速)とLoop B(2段階、低速)の2つの反応経路で進むことを示した。しかし、2つのLoopの分岐がどのように起こるかは不明であった。本発表では、超音速O分子線(SOMB)によるn-Si(001)の酸化過程をX線光電子分光法(XPS)によりリアルタイムで測定することで、界面反応における分子状吸着酸素の役割を明らかにする。また、本研究により、品質の良いSiOの作製条件が決定できる可能性も示した。
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使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2022/09 |
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: | 仙台 |
開催国 |
: | 日本 |
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