光電子制御プラズマによるグラフェン改質,1; ラマン分光解析

Modification of graphene by the photoemission-assisted plasma, 1; Raman analysis

福田 旺土*; 鷹林 将*; 内藤 陽大*; 田中 修斗*; 山口 尚登*; 小川 修一*; 高桑 雄二*; 津田 泰孝   ; 吉越 章隆 

Fukuda, Akito*; Takabayashi, Susumu*; Naito, Haruhiro*; Tanaka, Shuto*; Yamaguchi, Hisato*; Ogawa, Shuichi*; Takakuwa, Yuji*; Tsuda, Yasutaka; Yoshigoe, Akitaka

グラフェンの応用において、改質や化学修飾が必要であるが、多くの手法ではプロセスに起因するダメージが問題となる。本発表では、イオンダメージを防ぐことができる光電子制御プラズマのタウンゼント放電領域を利用することで、欠陥を選択的に制御できることをラマン分光のDバンドから明らかにしたので報告する。

Although modification or chemical modification is necessary in graphene applications, the damage due to the modification processes is a serious problem. In this conference, it is reported that the defects confirmed by D-band peak in Raman spectroscopy can be selectively controlled by using the Townsend discharge region of photoemission-assisted plasma, which can prevent ion damage.