Siドライ酸化におけるSiO/Si界面での過剰少数キャリア再結合と化学吸着O種の役割

Roles of excess minority carrier recombination and chemisorbed O species at SiO/Si interfaces in Si dry oxidation

津田 泰孝   ; 吉越 章隆 ; 小川 修一*; 坂本 徹哉*; 山本 善貴*; 山本 幸男*; 高桑 雄二*

Tsuda, Yasutaka; Yoshigoe, Akitaka; Ogawa, Shuichi*; Sakamoto, Tetsuya*; Yamamoto, Yoshiki*; Yamamoto, Yukio*; Takakuwa, Yuji*

Siドライ酸化の反応律速では、酸化誘起歪による点欠陥発生が支配的な役割を担っている。我々は空孔がキャリア捕獲により化学的に活性となり、一段階(Loop A)もしくは二段階(Loop B)の二つの反応経路で酸化が進行する統合Si酸化反応モデルを提案した。本研究では、放射光光電子分光を用いてSi表面酸化過程をリアルタイム観察し、SiO/Si(001)界面酸化における過剰少数キャリア再結合および界面でのO trapping-mediated adsorptionの役割を実験的に検証した。

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