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Electrical activation of phosphorus-donors introduced in 6H-SiC by hot-implantation

高温イオン注入により6H-SiCに導入したリンドナーの電気的活性化

大島 武; 安部 功二*; 伊藤 久義; 吉川 正人; 児島 一聡; 梨山 勇*; 岡田 漱平

Oshima, Takeshi; Abe, Koji*; Ito, Hisayoshi; Yoshikawa, Masahito; Kojima, Kazutoshi; Nashiyama, Isamu*; Okada, Sohei

炭化ケイ素(SiC)への局所的不純物導入技術の確立のために、六方晶SiCにリン(P)の高温イオン注入を行い、注入量(P濃度: 1$$times$$10$$^{18}$$~5$$times$$10$$^{19}$$/cm$$^{3}$$)、注入温度(室温~1200$$^{circ}C$$)とキャリア(電子)濃度の関係を調べた。P濃度が1$$times$$10$$^{18}$$/cm$$^{3}$$の場合は、電子濃度は注入後の1400$$^{circ}C$$熱処理により全試料で同程度となり、注入温度に依存しない。P濃度が7$$times$$10$$^{18}$$/cm$$^{3}$$では、注入温度が高いほど電子濃度が高まる。さらに高濃度の5$$times$$10$$^{19}$$/cm$$^{3}$$では、800$$^{circ}C$$注入試料の電子濃度が最大となった。高濃度注入の場合、室温注入では結晶の損傷が大きく、高温での熱処理後も結晶が回復しないのに対し、高温注入では欠陥の発生が抑制されるので損傷の度合いが小さく、熱処理により結晶が回復して、結果的に電子濃度が高まると考えられる。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Applied Physics A

巻

 :

71

号

 :

2

ページ数

 :

p.141 - 145

発行年月

 :

2000/10

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

炭化ケイ素; 高温イオン注入; リンドナー; キャリア濃度

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1007/PL00021109

研究データの公開先DOI

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使用施設

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広報プレスリリース

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