Analysis of single-ion multiple-bit upset in high-density DRAMs

高集積度DRAMの単一マルチビットアップセットの解析

槇原 亜紀子*; 進藤 浩之*; 根本 規生*; 久保山 智司*; 松田 純夫*; 大島 武; 平尾 敏雄; 伊藤 久義; Buchner, S.*; Campbell, A. B.*

Makihara, Akiko*; Shindo, Hiroyuki*; Nemoto, Norio*; Kuboyama, Satoshi*; Matsuda, Sumio*; Oshima, Takeshi; Hirao, Toshio; Ito, Hisayoshi; Buchner, S.*; Campbell, A. B.*

宇宙環境に使用される高密度なメモリ素子(DRAM)に高エネルギーイオンが入射するとシングルイベントアップセットが生じることは良く知られている。特に、高集積度メモリ素子において、たった一個のイオンを入射することにより、複数のメモリセル内容が反転するシングルイベントマルチプルアップセット(MBU)が近年大きな問題となっている。そこで本実験では、MBUの発生とビーム入射位置との関係を調べるために、16及び64Mbit DRAMに対し、ニッケル,ボロン、鉄イオンを入射角度を0度と60度で照射した。その結果、MBUの発生が、イオントラックの廻りに生じた電荷の拡散により引き起こされることが明らかになった。また、メモリ内のセンサ部分にイオンが当たったときにも大規模なMBUが発生することが判明した。

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