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Plompen, A. J. M.*; Cabellos, O.*; De Saint Jean, C.*; Fleming, M.*; Algora, A.*; Angelone, M.*; Archier, P.*; Bauge, E.*; Bersillon, O.*; Blokhin, A.*; et al.
European Physical Journal A, 56(7), p.181_1 - 181_108, 2020/07
被引用回数：331 パーセンタイル：99.41(Physics, Nuclear)本論文では、核分裂と核融合のための統合評価済み核データファイルのバージョン3.3(JEFF-3.3)について説明する。中性子との反応が重要な核種の
U, 
U, 
Pu, 
Am, 
Na, 
Ni, Cr, Cu, Zr, Cd, Hf, Au, Pb, Biについて、新しい核データ評価結果を示す。JEFF-3.3には、核分裂収率, 即発核分裂スペクトル, 核分裂平均中性子発生数の新しいデータが含まれる。更に、放射崩壊, 熱中性子散乱, ガンマ線放出, 中性子による放射化, 遅発中性子, 照射損傷に関する新しいデータも含まれている。JEFF-3.3は、TENDLプロジェクトのファイルで補完しており、光子, 陽子, 重陽子, 三重陽子, 
He核, アルファ粒子による反応ライブラリについては、TENDL-2017から採用した。また、不確かさの定量化に対する要求の高まりから、多くの共分散データが新しく追加された。JEFF-3.3を用いた解析の結果と臨界性, 遅発中性子割合, 遮蔽, 崩壊熱に対するベンチマーク実験の結果を比較することにより、JEFF-3.3は幅広い原子核技術の応用分野、特に原子力エネルギーの分野において優れた性能を持っていることが分かった。
Am and 
Np capture cross sections
erovnik, G.*; Schillebeeckx, P.*; Cano-Ott, D.*; Jandel, M.*; 堀 順一*; 木村 敦; Rossbach, M.*; Letourneau, A.*; Noguere, G.*; Leconte, P.*; et al.
EPJ Web of Conferences, 146, p.11035_1 - 11035_4, 2017/09
被引用回数：3 パーセンタイル：86.09(Nuclear Science & Technology)There is a serious gap between required accuracy and current accuracy on nuclear data for developing innovative nuclear reactor systems. To bridge this gap, an international joint activity entitled Improving Nuclear Data Accuracy of Am and Np capture cross sections (INDA) has being performed under WPEC. In this joint study, the forefront knowledge of energy dependent cross section measurements, spectrum averaged experiments, relevant nuclear structure data, and evaluations are intended to be integrated on the capture cross sections of Am and Np. From the joint study, it was shown that integration of knowledge from the independent specialities enables us not only to crosscheck between data obtained by different techniques but also to improve the measurement accuracy of each other.
Lohrmann, A.*; Castelletto, S.*; Klein, J. R.*; 大島 武; Bosi, M.*; Negri, M.*; Lau, D. W. M.*; Gibson, B. C.*; Prawer, S.*; McCallum, J. C.*; et al.
Applied Physics Letters, 108(2), p.021107_1 - 021107_4, 2016/01
被引用回数：39 パーセンタイル：82.59(Physics, Applied)Creation and characterisation of single photon emitters near the surface of 4H- and 6H-silicon carbide bulk substrates and 3C-SiC epitaxially grown on silicon substrates were investigated. These single photon emitters can be created and stabilized by thermal annealing in an oxygen atmosphere at temperatures above 550 
C. Hydrofluoric acid (HF) treatment is shown to effectively annihilate the emission from defects and to restore an optically clean surface. However, the emission from the defects can be obtained after re-oxidation above 550 C. By measuring using standard confocal microscopy techniques, the excited state lifetimes for the emitters are found to be in the nanosecond regime in all three polytypes, and the emission dipoles are aligned with the lattice.
Lohrmann, A.*; 岩本 直也*; Bodrog, Z.*; Castelletto, S.*; 大島 武; Karle, T. J.*; Gali, A.*; Prawer, S.*; McCallum, J. C.*; Johnson, B. C.*
Nature Communications (Internet), 6, p.7783_1 - 7783_7, 2015/07
被引用回数：145 パーセンタイル：96.84(Multidisciplinary Sciences)A new single photon source (SPS) was found in hexagonal silicon carbide (SiC), and the luminescence from the SPS could be controlled by the operation of the pn diode. The SPS showed electro-luminescence (EL) with spectra between 700 and 850 nm (zero phonon line: 745 nm) and the EL could be easily observed at even room temperature (RT). Also, the SPS has very high thermal stability and can be observed even after 1800 C annealing. The luminescence from the SPS was also observed by photo-luminescence measurements at RT. From Ab initio calculation, it was proposed that the silicon antisite defects beneath cubic SiC inclusion are a reasonable structure for the SPS although the identification of the SPS has not yet done.
Castelletto, S.*; Johnson, B. C.*; Zachreson, C.*; Beke, D.*; Balogh, I.*; 大島 武; Aharonovich, I.*; Gali, A.*
ACS Nano, 8(8), p.7938 - 7947, 2014/08
被引用回数：86 パーセンタイル：90.39(Chemistry, Multidisciplinary)Single Photon Sources (SPSs) in cubic (3C) Silicon Carbide (SiC) Nano Particles (NPs) were investigated. As a result, photo luminescence (PL) with broad emission at wavelength ranges between 600 and 800 nm was observed from 3C-SiC NPs at room temperature. The second order photon auto-correlation measurements revealed that defect with the PL characteristic is SPSs. The intensity and stability of the PL increased when samples were irradiated with electrons and subsequently annealed at 500 C. From PL measurements at low temperature and theoretical analysis using spin-polarized density functional theory, the defect can be identified as carbon-antisite carbon-vacancy pair (C
V
).
Si under intense pulsed magnetic fields up to 81TScheerer, G. W.*; Knafo, W.*; 青木 大*; Nardone, M.*; Zitouni, A.*; B
ard, J.*; Billette, J.*; Barata, J.*; Jaudet, C.*; Suleiman, M.*; et al.
Physical Review B, 89(16), p.165107_1 - 165107_12, 2014/04
被引用回数：10 パーセンタイル：41.74(Materials Science, Multidisciplinary)Fermi surface of URuSi has been studied by measuring the quantum oscillation at low temperature and high magnetic field up to 81T. The data suggest interplay between Fermi surface, magnetic properties and the hidden order.
Castelletto, S.*; Johnson, B.*; Ivady, V.*; Stavrias, N.*; 梅田 享英*; Gali, A.*; 大島 武
Nature Materials, 13(2), p.151 - 156, 2014/02
被引用回数：413 パーセンタイル：99.43(Chemistry, Physical)単一フォトンの発生や検出は量子力学の実験的な基盤や計測理論に重要な役割を示す。また、効率的、高品質の単一発光源は量子情報等の実現にとって不可欠と考えられている。本研究では、室温においても非常に明るく安定な炭化ケイ素(SiC)中の単一発光源の形成と同定に成功した。この単一発光源はSiC中のシリコンサイトを炭素で置換した炭素アンチサイト(C)と炭素空孔(V)の複合欠陥(CV)として知られる点欠陥であり、高純度SiCに対して、電子線照射と照射後の熱処理を組み合わせることで形成が可能となる。非常に明るい光源(2
10
counts/s)であり、キャビティーの使用が無い場合においても高い量子効率が得られる。
G M N BASTON*; J A BERRY*; M BROWNSWORD*; D J LLETT*; C M LINKLATER*; S W SWANTON*; Tweed, C. J.*
JNC TJ8400 99-078, 72 Pages, 1999/03
本報告書では、以下の3つの事項について報告する。強還元条件下の中性付近におけるプルトニウムの酸化状態測定の可能性を明らかにするために調査研究を実施した。その結果、溶解度が低いために溶液中のプルトニウムの直接測定は困難であるものの、適切な基質に吸着したプルトニウムの酸化状態確認はX線吸収分光法により行える可能性があることがわかった。強還元条件下において、プルトニウムの玄武岩、泥岩、砂岩へのバッチ吸着試験を実施した。試験には、岩石-脱イオン水平衡水摸擬液、岩石-海水平衡水摸擬液、およびこれらに炭酸塩を添加した溶液を用い、分配係数の溶液組成依存性を調べた。その結果、炭酸濃度の増加による分配係数の低下は認められなかった。上記のプルトニウムの玄武岩、泥岩、砂岩への吸着実験結果を解釈するために、酸化鉄が主要な吸着相であると想定した吸着モデルの開発を行った。モデル化はプルトニウム3価の吸着をもとの行われた。モデルにより予測される分配係数は実験結果と概ね適合するものであった。
Magnani, N.*; Caciuffo, R.*; Colineau, E.*; Wastin, F.*; Amoretti, G.*; Carretta, S.*; Santini, P.*; Baraldi, A.*; Capelletti, R.*; Adroja, D. T.*; et al.
no journal, ,
近年Mn
, Fe
等の3d電子(遷移金属)系錯体が、新規な高密度記憶媒体や量子コンピューター素子としての応用の可能性を含めて広く注目されるようになっている。しかし、実用的には、希土類4f電子系の中心金属イオンを有する系が、より強い磁気異方性やより高い磁気ブロッキング温度を持った、より高性能の分子磁性体として期待されている。われわれは、この中でも最近特に注目を集めている4f希土類(Ln)系ダブルデッカー型フタロシアニン化合物の一つ、ツリウム(Tm)系のマクロ量(グラムオーダー)の試料合成に、初めて成功した。本試料を用い、ヨーロッパ超ウラン元素研究所らとの国際研究協力の下、光吸収,非弾性中性子散乱,比熱測定など多角的な手法で、本系の分子磁性にかかわる基礎物性の解明を開始した。本発表では、これらの成果について報告する。
大島 武; Johnson, B. C.*; Castelletto, S.*; Ivady, V.*; Stavrias, N.*; 梅田 享英*; Gali, A.*
no journal, ,
固体中の単一発光中心の有するスピンや発光を制御することで、従来の半導体デバイスの演算能力を遥かに凌ぐ量子コンピューティングや、高輝度かつナノレベルのサイズ制御でフォトニクスを実現しようという試みが行われている。そこで本研究では、SiCを母材とした量子コンピューティングやフォトニクスに応用可能な単一発光中心の探索を行った。その結果、半絶縁性(SI)六方晶(4H)SiC基板に2MeVのエネルギーの電子線照射及び300Cでの熱処理を行うことで、室温においても非常に高い輝度で発光する新たな欠陥が生成されることを見出した。低温におけるフォトルミネッセンス(PL)測定により、この欠陥はABラインとして報告されている640
680nm付近にピーク(ゼロフォノンライン)を有する発光中心であることが判明した。更に、共焦点蛍光顕微鏡(CFM)を用いたアンチバンチング測定及び理論計算を行うことで、この欠陥は単一発光中心であり、正に帯電した炭素アンチサイト-炭素空孔ペア(CV
)であると帰結された。
大島 武; 小野田 忍; 牧野 高紘; 岩本 直也*; Johnson, B. C.*; Lohrmann, A.*; Karle, T.*; McCallum, J. C.*; Castelletto, S.*; 梅田 享英*; et al.
no journal, ,
固体中の単一発光源(SPS)の有するスピンや発光を制御することで、量子コンピューティングやフォトニクスを実現しようという試みが行われている。本研究ではSiCを母材としたSPSの探索を行った。半絶縁性(SI)六方晶(4H)SiC基板に室温にて2MeVのエネルギーの電子線照射後、Ar中、30分間の熱処理を行った。室温又は低温におけるフォトルミネッセンス(PL)測定及び室温における共焦点蛍光顕微鏡(CFM)を用いたアンチバンチング測定によりSPSを探索した。110
/cm
の電子線照射後に300Cで熱処理を行った試料に対して80KでのPL測定を行ったところ、850950nm付近にSi空孔が起因のVラインと呼ばれるPL発光が、650700nm付近にCV起因のABラインと呼ばれる二種類のPL発光が観測された。ABラインの発光を有する欠陥中心に対して、CFMを用いて室温でアンチバンチグ測定を行った結果、CVが単一発光源であることが判明した。また、これまでSteedsらによりABラインは中性のCVと主張されていたが、ab initio計算から、この波長領域にPL発光を持つためには正に帯電しているCVであるという結果を得た。
大島 武; Lohrmann, A.*; Johnson, B. C.*; Castelletto, S.*; 小野田 忍; 牧野 高紘; 武山 昭憲; Klein, J. R.*; Bosi, M.*; Negri, M.*; et al.
no journal, ,
量子スピントロニクスや量子フォトニクスへの応用が期待される炭化ケイ素半導体(SiC)中の単一光子源(SPS)に関して、デバイス作製の際に用いる高温熱処理といったプロセス後にも安定に存在するSPSの探索を行った。共焦点蛍光顕微鏡(CFM)観察の結果、1600C以上での熱処理後も550600nmの波長帯に室温においても高輝度で発光特性を示すSPSが存在することが確認された。加えて、未熱処理のSiC基板のCFM観察を行ったところ、非常に少量ではあるが同様なSPSが存在することも判明したが、発光は不安定であり、数秒間の観察中に発光が消失してしまうことが見いだされた。そこで、熱処理温度(酸素中、5分間)とSPSの発光の安定性の関係を調べたところ、550C以上の熱処理で発光が安定化することが明らかとなった。
Lohrmann, A.*; Castelletto, S.*; Klein, J. R.*; Bosi, M.*; Negri, M.*; Lau, D. W. M.*; Gibson, B. C.*; Prawer, S.*; McCallum, J. C.*; 大島 武; et al.
no journal, ,
The single photon sources (SPSs) in the visible spectral region were fabricated near the surface of semi-insulating (SI) 4H-silicon carbide (SiC), SI 6H-SiC substrates and 3C-SiC epitaxial films by annealing in dry oxygen. The photoluminescence (PL) with high intensity was observed from samples after oxygen annealing above 550 C although blinking characteristics of PL were observed from samples annealed below 550 C. Also, the samples annealed above 550 C showed blinking characteristics after removing oxygen atoms terminating the surface by HF-etching. Therefore, we can conclude that the oxygen termination is important to obtain stable PL characteristics from the SPSs near the surface of SiC.
