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海老原 健一; 岩本 隆*; 松原 幸生*; 山田 紘樹*; 岡村 司*; 漆原 亘*; 大村 朋彦*
ISIJ International, 54(1), p.153 - 159, 2014/01
被引用回数：13 パーセンタイル：53.33(Metallurgy & Metallurgical Engineering)応力腐食割れの原因の1つである水素脆化の機構の理解には、鋼材中における水素の偏析位置(水素存在状態)を同定する必要がある。鋼材試料の一定割合での加熱で脱離する水素の量と試料温度との関係である水素熱脱離曲線は、水素存在状態を同定する有効なデータである。本論文では、実験室でよく用いる方法と実環境での水素侵入を模擬した方法の2通りで予ひずみを与えた高強度鋼に水素を添加した場合、両者の間で見られる水素熱脱離曲線の違いを数値解析で考察した。その結果、両者の違いは添加水素量による初期水素分布の違いに起因することが分かった。また、添加水素量が少ない場合、熱脱離曲線が初期水素分布に影響されやすいことが分かった。尚、本研究は、日本鉄鋼協会における「水素脆化研究の基盤構築」研究会(2009年-2013年)において実施された。
海老原 健一; 岩本 隆*; 三輪 則暁*; 山田 紘樹*; 岡村 司*; 漆原 亘*; 大村 朋彦*
「水素脆化研究の基盤構築」研究会報告書, p.21 - 26, 2013/10
応力腐食割れの1つの原因である水素脆化の機構の理解に資するために参加した日本鉄鋼協会の「水素脆化研究の基盤構築」研究会では、鉄鋼の水素脆化評価に適切な水素添加方法を探るため、異なる鋼種の試料に異なる方法で水素を添加し、昇温脱離分析で得られる水素熱脱離曲線及び添加水素量について評価した。本発表は、その研究会での成果に関する一連の最終報告の一部である。発表では、ISIJ International誌に掲載が決定している論文の内容を中心に、低合金鋼の水素熱脱離曲線の数値シミュレーションによる考察について講演する。特に、熱脱離曲線を形成する脱離水素を捕獲する鋼材中の欠陥の種類に対する考察、及び実験によるその同定方法について、より詳細に解説する。
槙原 亜紀子*; 横瀬 保*; 土屋 義久*; 宮崎 良雄*; 阿部 浩之; 新藤 浩之*; 海老原 司*; 丸 明史*; 森川 剛一*; 久保山 智司*; et al.
IEEE Transactions on Nuclear Science, 60(1), p.230 - 235, 2013/02
被引用回数：6 パーセンタイル：44.02(Engineering, Electrical & Electronic)デジタル回路において放射線耐性を飛躍的に向上させる技術として既に確立されているRadiation Hardening By Design (RHBD)技術の一つであるSOIトランジスタペアをカレントミラー回路等のアナログ回路にも拡大可能であることを検証した。具体的にはそのアナログ回路を適用したPLL回路を実際に作製し、TIARAサイクロトロン加速器を用いてイオン照射を実施した。その結果すぐれた耐放射線性を有することを確認した。
槇原 亜紀子*; 横瀬 保*; 土屋 義久*; 谷 幸一*; 森村 忠昭*; 阿部 浩之; 新藤 浩之*; 海老原 司*; 丸 明史*; 森川 剛一*; et al.
Proceedings of 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-10) (Internet), p.119 - 122, 2012/12
これまでおもにディジタル回路へ使用していたSOI(Silicon On Insulator)とペアのトランジスタを配置する冗長化技術を活用したアナログ回路用の新たなRHBD(Radiation Hardening By Design)技術を提案して、PLL(Phase-Locked Loop)等のアナログ回路へ応用することで、その耐放射線の向上を検討した。この技術は、従来の三重の冗長系を組むRHBD技術に比べ、非常にシンプルであるとともに電力消費や面積増大の損失も比較的少ないという特徴を持つ。このRHBD技術を600MHz、0.15
m技術でFD(Fully Depleted)SOI基板上に作製したPLLに適用したところ、LET(Linear Energy Transfer)が68.9MeV/(mg/cm
)という高い値でも誤動作を生じないことが実証された。
丸 明史*; 新藤 浩之*; 海老原 司*; 槇原 亜紀子*; 平尾 敏雄; 久保山 智司*
IEEE Transactions on Nuclear Science, 57(6), p.3602 - 3608, 2010/12
被引用回数：12 パーセンタイル：62.3(Engineering, Electrical & Electronic)近年の微細化プロセス用を用いて作製された半導体回路は、放射線に対して非常に敏感になってきている。この問題を解決するため、シングルイベント誤動作(SET)に対して特に強いとされているメモリ回路であるDICE(Dual Interlocked Storage Cell)を基本にしたSET対策付きフリップフロップを、90nmバルクCMOSプロセスを用いて設計し、SET耐性について、現行のTMR(Triple Modular Redundant)との比較を行った。その結果、DICE回路は、TMRと同等のSET耐性を維持しつつ、小面積化が図れるという特長があることが明らかとなった。また、同プロセスにてDICEベースのSET対策付きラッチ回路を搭載したTEGデバイスを製造し、耐性評価を実施した。TIARA施設のカクテルビームを用いて、イオン入射角度依存性を調べたところ、ある限定した角度照射において、放射線感度が非常に高くなるという新たな現象が見いだされた。
丸 明史*; 久保山 智司*; 新藤 浩之*; 海老原 司*; 槇原 亜紀子*; 平尾 敏雄; 田村 高志*
Proceedings of 9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-9), p.64 - 67, 2010/10
近年の微細化プロセスを用いて作製された半導体回路は、放射線に対して非常に敏感になってきている。この問題を解決するためシングルイベント誤動作(SET)に対して特に強いとされているメモリ回路であるDICE(DualInterlocked Storage Cell)を基本にしたSET対策付きフリップフロップを、90nmバルクCMOSプロセスを用いて設計し、従来のTMR(Triple Modular Redundant)技術と動作速度・面積について比較を行った。その結果、TMRとDICE回路を、同等のSET耐性を持つように設計した場合、DICEはTMRよりも動作速度・面積ともにアドバンテージがあることが明らかとなった。また、同プロセスにてDICEベースのSET対策付きラッチ回路を搭載したTEGデバイスを製造し耐性の放射線照射試験を実施した。TIARA施設のカクテルビームを用いてイオン入射角度依存性を調べたところ、ある限定した角度照射において、放射線感度が非常に高くなるという現象が見いだされた。
