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論文

Enhancement of the transport critical current density by electron irradiation in a Bi$$_{1.5}$$Pb$$_{0.5}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$ ceramic

白石 健介; 坂本 宏*; 弥野 光一*; 乙黒 靖男*

Japanese Journal of Applied Physics, 31(12A), p.L1675 - L1678, 1992/12

https://doi.org/10.1143/JJAP.31.L1675
 被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Physics, Applied)

焼結したBi$$_{1.5}$$Pb$$_{0.5}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$から切り出した試料に、3MeVの電子線を8.9$$times$$10$$^{15}$$m$$^{-2}$$・S$$^{-1}$$の線量率で、1.8$$times$$10$$^{20}$$m$$^{-2}$$まで室温で照射し、直流の四端子法で、0.64Tまでの磁場中の臨界電流密度を温度の関数として測定した。磁場なしで測定した臨界電流密度は、45K以下の温度で電子線照射によって上昇する。この照射の効果は測定温度が低いほど著しい。また、磁場中で測定した臨界電流密度も、6.0$$times$$10$$^{19}$$m$$^{-2}$$までの電子線照射によって約50K以下の温度で上昇する。この電子線照射の効果は測定温度が低いほど、また0.16Tまでの磁場中では磁場が弱いほど著しい。電子線照射が1.8$$times$$10$$^{20}$$m$$^{-2}$$になると0.16Tで測定した臨界電流密度は約50K以下の温度では照射前の値より小さくなる。このような電子線照射による臨界電流密度の変化は、結晶粒内の照射欠陥のほか、結晶粒界に生じたアモルファス層が磁束線のピン止め点として作用することによる。

論文

Gamma irradiation effect on the transport critical current density of a Bi$$_{1.5}$$Pb$$_{0.5}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$ ceramic

白石 健介; 坂本 宏*; 弥野 光一*; 乙黒 靖男*

Japanese Journal of Applied Physics, 31(3A), p.L227 - L230, 1992/03

https://doi.org/10.1143/JJAP.31.L227
 被引用回数：3 パーセンタイル：22.36(Physics, Applied)

焼結したBi$$_{1.5}$$Pb$$_{0.5}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$ペレットから切り出した試験片に、$$^{60}$$Coからの$$gamma$$線を2.0MR・h$$^{-1}$$の線量率で、順次24MRまで室温で照射し、直接通電法によって臨界電流密度を温度の関数として測定した。外部から磁場をかけないで測定した臨界電流密度は、2MRのガンマ線を照射すると、65K以下の温度で、照射前の値に比べて低下する。このガンマ線照射による臨界電流密度の低下は、測定温度が低いほど著しい。これに対して、1.0Tまでの磁場中で測定した臨界電流密度は、2MRのガンマ線によって、上昇する。ガンマ線の照射を続けると、外部磁場の有無にかかわらず、臨界電流密度は次第に低下し、24MRの照射後は外部磁場をかけない状態では、77K以下の温度で照射効果が認められる。これらのガンマ線照射効果は、結晶子の界面に、超電導ではない、アモルファス層が生成・成長することによるものであると考えられる。

論文

Transport critical current density in a Bi$$_{1.5}$$Pb$$_{0.5}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{10}$$ ceramic

白石 健介; 坂本 宏*; 弥野 光一*; 乙黒 靖男*

Japanese Journal of Applied Physics, 31(1A-B), p.L17 - L20, 1992/01

https://doi.org/10.1143/JJAP.31.L17
 被引用回数：3 パーセンタイル：22.36(Physics, Applied)

焼結したBi$$_{1.5}$$Pb$$_{0.5}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{10}$$ペレットの臨界電流密度を直接通電法によって、90Kから20Kの範囲の温度の関数として、1.0Tまでの磁場中で測定した。零磁場では、77Kで1.9MA・m$$^{-2}$$であった臨界電流密度は、温度の降下に対してほぼ直接的に増加し、50Kで9.4MA・m$$^{-2}$$になる。さらに温度を下げると臨界電流密度の上昇の割合はやや低下するが、20Kでは11.8M・m$$^{-2}$$になる。温度を20Kに保って、1.0Tの磁場中で測定した後、この温度で磁場をかけないで測定すると臨界電流密度は8.6MA・m$$^{-2}$$に低下する。零磁場で温度を上げていくと、低温で1.0Tの磁場をかけた効果は徐々に回復し、70Kでほぼ元の値になる。なお、70K以上の温度で磁場をかけて臨界電流密度を測定しても、それは零磁場で測定する臨界電流密度に影響を及ぼさない。

論文

Gamma irradiation effect on a Bi$$_{1.5}$$Pb$$_{0.5}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{10}$$ superconductor

白石 健介; 弥野 光一*; 乙黒 靖男*

Japanese Journal of Applied Physics, 30(7B), p.L1260 - L1263, 1991/07

https://doi.org/10.1143/JJAP.30.L1260
 被引用回数：16 パーセンタイル：65.01(Physics, Applied)

焼結したBi$$_{1.5}$$Pb$$_{0.5}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{10}$$ペレットに$$^{60}$$Coからの$$gamma$$線を1.5MR/hの線量率で約50MRまで照射し、電気抵抗率の温度変化を測定した。照射前に103.4Kであった臨界温度は20.25MRまで照射すると104.1Kまで上昇し、その後照射を続けると2.0$$times$$10$$^{-2}$$K/MRの割合で低下する。これに対して、300Kの電気抵抗率は約2MRから20MRまでの照射領域では0.1$$mu$$$$Omega$$・m/MRの割合で増加し、約20MRから37MRの範囲では殆んど変化しない。臨界温度の低下が認められる高照射領域では電気抵抗率は減少する。これらのことは、$$gamma$$線照射によって格子原子の再配列が起こること、これによって臨界温度の低い(2212)相が電気抵抗率の大きい(2223)相に変換すること、照射によって界面にアモルファス膜が生じる一方で、界面の微細クラックが消滅すると考えることによって統一的に説明することができる。

論文

Electron irradiation effects on electrical properties of a Bi$$_{1.4}$$Pb$$_{0.6}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{10}$$ superconductor

白石 健介; 伊藤 洋; 加藤 隆彦*

Japanese Journal of Applied Physics, 30(5B), p.L894 - L897, 1991/05

https://doi.org/10.1143/JJAP.30.L894
 被引用回数：7 パーセンタイル：42.41(Physics, Applied)

焼結したBi$$_{1.4}$$Pb$$_{0.6}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{10}$$を1MeVの電子線を室温で8$$times$$10$$^{19}$$m$$^{-2}$$まで照射し、照射による電気抵抗-温度曲線の変化を調べた。線束密度を1.1$$times$$10$$^{15}$$m$$^{-2}$$・s$$^{-1}$$にして電子線を1$$times$$10$$^{19}$$m$$^{-2}$$まで照射すると、電流密度を125kA・m$$^{-2}$$にして測定した超電導転移温度は照射前の90.7-92.5Kから96.3Kまで上昇し、電気抵抗率は僅かに減少する。その後照射を続けると、電気抵抗率は照射量に対してほぼ直線的に増加する。また、超電導転移温度は徐々に低下する。照射前の88kA・m$$^{-2}$$の電流密度で測定した転移温度が104.0Kであった試料は5.5$$times$$10$$^{15}$$m$$^{-2}$$・s$$^{-1}$$の線束密度で8$$times$$10$$^{19}$$m$$^{-2}$$まで電子線を照射すると、転移温度は照射量増加とともにほぼ単調に低下する。これらのことは、Bi系の焼結ペレットでは、1$$times$$10$$^{19}$$m$$^{-2}$$程度まで線束密度を小さくした電子線の照射を行うと、結晶粒界の弱結合をも含めた微細な偏析物が溶解することによって、臨界電流密度が上昇することを示している。

論文

Formation of the high-T$$_{c}$$ phase in Pb-free Bi-Sr-Ca-Cu-O thin film

永井 智*; 藤村 紀文*; 伊藤 太一郎*; 白石 健介

Japanese Journal of Applied Physics, 30(5A), p.L826 - L829, 1991/05

https://doi.org/10.1143/JJAP.30.L826
 被引用回数：5 パーセンタイル：34.00(Physics, Applied)

単結晶のMgO基板上に鉛を添加しないBi-Sr-Ca-Cu-Oのアモルファス薄膜をスパタ蒸着し、865$$^{circ}$$C2時間の熱処理によって形成される高T$$_{c}$$相の体積分率をX線回折によって調べた。基板を加熱しないで蒸着したアモルファス膜をそのまま、熱処理すると、高T$$_{c}$$相は87%に達するが、熱処理中に薄膜は基板から剥離する。基板の温度を300$$^{circ}$$Cにして蒸着した薄膜は熱処理中に剥離しないが、その熱処理によって得られる高T$$_{c}$$相の体積分率は43%に低下する。基板を300$$^{circ}$$Cに加熱して蒸着したアモルファス膜に200keVのNeイオンを室温で1$$times$$10$$^{13}$$cm$$^{-2}$$照射した後、結晶化の熱処理を行うと高T$$_{c}$$相の体積分率は69%まで向上する。基板の温度を300$$^{circ}$$Cにして蒸着したアモルファス膜を800$$^{circ}$$Cで1時間熱処理し、低T$$_{c}$$相を形成させた後、865$$^{circ}$$Cで2時間の熱処理を行うと高T$$_{c}$$相はX線回折によって検出できなかった。

論文

Electron-irradiation enhancement of the critical magnetization current in the Bi$$_{1.4}$$Pb$$_{0.6}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{10}$$ superconductor

白石 健介; 数又 幸生; 加藤 隆彦*

Japanese Journal of Applied Physics, 30(4A), p.L578 - L581, 1991/04

https://doi.org/10.1143/JJAP.30.L578
 被引用回数：6 パーセンタイル：38.52(Physics, Applied)

焼結したBi$$_{1.4}$$Pb$$_{0.6}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{10}$$ペレットを室温で1MeVの電子線を1.1~27.5$$times$$10$$^{11}$$cm$$^{-2}$$s$$^{-1}$$の線束密度で1.0$$times$$10$$^{15}$$cm$$^{-2}$$まで照射し、5、20、50Kの磁化率を5Tまでの磁場中で測定した。測定温度が5K及び20Kでは電子線照射によって臨界電流密度が向上するが、50Kでは逆に電子線照射によって臨界電流密度は低下する。測定温度が5Kのときの電子線照射による臨界電流密度の上昇率は17~20%であり、これは電子線の照射速度が低いほど大きい。また、この改善効果は磁場を大きくしても殆ど低下しない。測定温度が50Kのときの電子線照射による臨界電流密度の低下率は電子線の照射速度が大きいほど大きく、磁場を大きくすると急激に減少する。これらの電子線照射による臨界電流密度の変化は、電子線照射によって小さな欠陥集合体ができるとともに照射前に存在していた微細な偏折物や析出相が壊されることによると考えられる。

論文

Nitrogen-ion irradiation effect on Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$ superconductor

白石 健介; 伊藤 洋; 青木 康

Japanese Journal of Applied Physics, 30(1A), p.L25 - L27, 1991/01

https://doi.org/10.1143/JJAP.30.L25
 被引用回数：2 パーセンタイル：17.25(Physics, Applied)

焼結した単相のBa$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7-y}$$ペレットに室温で200keVの窒素イオンを0.3~6.0$$times$$10$$^{13}$$m$$^{-2}$$・s$$^{-1}$$の線束密度で2$$times$$10$$^{16}$$m$$^{-2}$$程度で順次照射し、電気抵抗の温度変化を四端子法で測定した。電流密度を25kA・m$$^{-2}$$より大きくして測定した超電導転移温度は上昇する。このようにして測定した転移温度の上昇が最も大きくなる照射量は、線束密度に関係なく、1$$times$$10$$^{14}$$m$$^{-2}$$程度である。すなわち、100kA・m$$^{-2}$$の電流密度で測定した転移温度は、照射前の86.5~87.1Kから、1.3$$times$$10$$^{13}$$m$$^{-2}$$・s$$^{-1}$$の線束密度で8.4$$times$$10$$^{16}$$m$$^{-2}$$まで照射すると90.9Kまで上昇する。この照射量は200keVの窒素イオン照射によるBa$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$の臨界電流密度改善に最適な照射量に対応しているが、この照射によって生成する欠陥は3$$times$$10$$^{-6}$$dpaであり、試料中に入射イオンが留まらないような高エネルギーのイオン照射による臨界電流密度向上に最適な照射量より2~3桁小さい。

論文

Electron energy loss spectroscopy in Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$ superconductor

白石 健介; 伊藤 洋

Advances in Superconductivity III, p.79 - 82, 1991/00

超電導体Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$の電子エネルギー損失スペクトルを透過電子顕微鏡内での電子線照射による結晶組織の変化と対応させて調べた。入射電子線のエネルギーを200keVにすると、スペクトルの測定中に欠陥集合体が生じ、測定を繰り返すと酸素濃度及び試料の厚さが減少する。しかし、酸素のK吸収端周辺の微細構造は充分観察できる。すなわち、輝度を大きくして数回スペクトルの測定を行なった後でも、536eVの吸収端の低エネルギー側にある528eVのピークは明らかに認められる。さらにBaの786及び801eVのピーク及びCuの935eV付近のピークは電子線照射によってそれほど影響を受けない。入射エネルギーを200keVにすると、100keVのものに比べて質の良いスペクトルが容易に得られるので、Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$の酸素のK-吸収端周辺の微細構造の結晶方位依存性の研究に利用できることが期待される。

論文

Microstructure in electron irradiated Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$ superconducters

白石 健介; 伊藤 洋

High Temperature Superconductors, p.325 - 332, 1991/00

焼結した単相のBa$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$ペレットから切り出した試料をアルゴンイオンを照射し薄膜化した後、加速電圧200kVの電子顕微鏡を用いた電子線照射中に生じる組織の変化を連続的に直接観察した。イオンミーリングしたBa$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$結晶では、間隔が1.17nmである(001)面の格子像に平行して、20~100nmの長さで、2~10nmの厚さの双晶薄片が観察される。また、この双晶薄片の周辺には、約10nmの大きさの欠陥集合体が優先的に生成している。通常の電子顕微鏡で組織を観察中に、欠陥集合体は徐々に大きくなり、双晶薄片は次第に消失する。これらの電子顕微鏡組織の変化は、Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$ペレットを電子線照射すると、電気抵抗が増加し、高電流密度で測定した超電導転移温度が上昇することとよく対応している。

論文

Damage profiles in a stainless steel irradiated with Ar and N ions

白石 健介; 深井 勝麿; 八木 栄一*

Journal of Nuclear Materials, 179-181, p.550 - 553, 1991/00

https://doi.org/10.1016/0022-3115(91)90147-Y
 被引用回数：6 パーセンタイル：58.39(Materials Science, Multidisciplinary)

溶体化処理した316ステンレス鋼に室温で、高エネルギーのアルゴンまたは窒素イオンを1$$times$$10$$^{20}$$m$$^{-2}$$程度まで照射し、照射損傷組織のイオン入射方向の変化を光学顕微鏡及び電子顕微鏡を用いて観察し、計算による、照射損傷の深さ分布と比較した。窒素イオンの照射では、57.4から86.2MeVのエネルギー範囲で測定した平均飛程は22.3~40.0$$mu$$mであり、拡張E-DEP-1コードを用いた計算結果とよい一致を示す。これに対して、40.5~51.1MeVのエネルギー範囲のアルゴンの平均飛程の測定値は、計算値の4.7~5.6$$mu$$mに比べて20%程度大きい。電子顕微鏡で観察した照射欠陥のイオンの入射方向における分布幅は、窒素イオン及びアルゴンイオン照射の双方とも、計算値とかなりよい一致を示す。アルゴンイオンを照射後、1023Kで1時間熱処理した試料には、タングルした転位線アルゴン気泡のほかM$$_{23}$$C$$_{6}$$型の炭化物が観察される。

論文

Electron irradiation effects on a Bi$$_{1.4}$$ Pb$$_{0.6}$$ Sr$$_{2}$$ Ca$$_{2}$$ Cu$$_{3}$$ O$$_{10}$$ Superconductor

白石 健介; 伊藤 洋; 加藤 隆彦*

Japanese Journal of Applied Physics, 29(3), p.L441 - L444, 1990/03

https://doi.org/10.1143/JJAP.29.L441
 被引用回数：10 パーセンタイル：51.47(Physics, Applied)

焼結したBi$$_{1.4}$$Pb$$_{0.6}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{7}$$ペレットに室温で、1または3MeVの電子線を8$$times$$10$$^{22}$$m$$^{-2}$$まで連続的に照射し、温度の関数として電気抵抗を測定した。3MeVの電子線を照射した試料では、照射前に105.8Kであった臨界温度は電子線の照射量に比例して8K/10$$^{21}$$m$$^{-2}$$の割合で低下する。これに対して超電導転移温度附近の115Kで測定した電気抵抗率は14.7$$mu$$$$Omega$$・mから1.5$$mu$$$$Omega$$m/10$$^{19}$$m$$^{-2}$$の変化率で上昇する。これらの(臨界温度及び電気抵抗率)の変化率は、格子のはじき出し量を単位にとると、それぞれ16K/10$$^{-5}$$dpa及び3$$mu$$$$Omega$$・m/10$$^{-7}$$dpaで電子線のエネルギーに依存しない。さらに、電流密度を大きくして測定した超電導転移温度は、1MeV及び3MeVの電子線とも1$$times$$10$$^{19}$$m$$^{-2}$$程度照射するとかなり上昇する。このことはMeV電子線を1$$times$$10$$^{-7}$$dpaの程度照射することによってBi$$_{1.4}$$Pb$$_{0.6}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{7}$$の臨界電流密度が向上することを示している。

論文

Microstructural evolution of Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$ superconductor by electron irradiation in a transmission electron microscope

白石 健介; 伊藤 洋

Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.169, p.835 - 838, 1990/00

酸化物高温超電導体Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$の臨界電流密度向上に及ぼす放射線照射効果の機構を調べるために、加速電圧200kVの透過電子顕微鏡で観察中の試料に輝度を強くして電子線を照射し、微細組織の変化を連続的に輝察した。試料の{110}面にほぼ垂直な方向から電子線を入射すると、薄層、薄片及び幅の広い双晶組織のほかに転位ループなどの欠陥が観察される。とくに、{110}面の反射が電子顕微鏡組織に寄与する領域では欠陥の数密度が大きい。線束が1$$times$$10$$^{18}$$e/cm$$^{2}$$・s程度の電子線を1$$times$$10$$^{20}$$~2$$times$$10$$^{21}$$e/cm$$^{2}$$の範囲で照射すると、{110}面上に5nm程度の直径をもった転位ループが生成するほか、薄片状の双晶が長く伸びるほか幅も広がる現象が観察された。これらのことは、電子線照射によるBa$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$超電導体の臨界電流密度の向上は、磁束のピンニングセンターとして作用する転位ループ及び双晶の密度の増加によることを示している。

論文

Enhancement of critical magnetization current by the electron irradiation in Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$ superconductor

白石 健介; 加藤 隆彦*; 国谷 治郎*

Japanese Journal of Applied Physics, 28(5), p.L807 - L809, 1989/05

https://doi.org/10.1143/JJAP.28.L807
 被引用回数：25 パーセンタイル：75.68(Physics, Applied)

焼結した単相のBa$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7-y}$$ペレットを約370kで照射量が2.25$$times$$10$$^{22}$$m$$^{-2}$$になるまで、順次3MeVの電子線を照射し、77kで磁束密度を1.0Tまで変化させて磁化の測定をおこなった。磁化曲線から求めた臨界電流密度は、照射量が~1.5$$times$$10$$^{22}$$m$$^{-2}$$になるまでは電子線照射量とともに上昇するが、これ以上に照射量が大きくなると照射量とともに臨界電流密度は減少する。この電子線照射による臨界電流密度の改善効果は、磁束密度が大きいほど、顕著である。

論文

Ion irradiation effect on Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$ superconductor

白石 健介; 伊藤 洋; 依田 修

Japanese Journal of Applied Physics, 28(3), p.L409 - L411, 1989/03

https://doi.org/10.1143/JJAP.28.L409
 被引用回数：11 パーセンタイル：54.30(Physics, Applied)

単相のBa$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7y}$$のペレットを200keVの酸素イオンまたは窒素イオンで1.5$$times$$10$$^{16}$$m$$^{-2}$$まで室温照射し、電気抵抗を温度の関数として測定した。電流密度を30kA・m$$^{-2}$$より大きくして測定した電気抵抗値から求めた超電導-常電導転移温度は約3$$times$$10$$^{15}$$m$$^{-2}$$のイオン照射によって上昇する。電流密度を121kA・m$$^{-2}$$にして測定した転移温度は1.6$$times$$10$$^{15}$$m$$^{-2}$$の酸素イオン照射によって、88.1~89.1kから90.4kまで上昇するが、更に照射を続けると転移温度は低下し、約1$$times$$10$$^{16}$$m$$^{-2}$$の照射で、照射前の値に戻る。これらのことは、Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$ペレットに室温で10$$^{-5}$$dpa程度に相当する照射欠陥を導入することによって臨界電流密度が上昇することを示している。さらに、比較的低エネルギーの重イオン照射によって表面の極く浅い領域のみに導入した照射欠陥の影響を試料全体の電気抵抗を測定することによって検出できることが実証できた。

論文

Electron irradiation effects on Y$$_{1}$$Ba$$_{2}$$CCu$$_{3}$$O$$_{y}$$ superconductors

渡辺 光男; 加藤 輝雄; 楢本 洋; 前田 裕司; 白石 健介; 数又 幸生; 岩瀬 彰宏; 岩田 忠夫

Advances in Superconductivity, p.469 - 474, 1989/00

クエンチ法により酸素量を制御したY$$_{1}$$Ba$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$試料を3MeVの電子線を照射し、その照射効果を電気抵抗測定で、試料の電流密度を変え、遷移温度近傍の様子を調べた。

論文

Irradiation effects on Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$ superconductor

白石 健介

Journal of Nuclear Materials, 169, p.305 - 313, 1989/00

https://doi.org/10.1016/0022-3115(89)90549-7
 被引用回数：10 パーセンタイル：72.55(Materials Science, Multidisciplinary)

超電導体Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$の臨界電流密度の向上に関係した、電子線、中性子、イオン照射の効果に関する実験データについてレビューした。この超電導体では照射の所期に臨界温度及び常電導状態での電気抵抗率は照射量に対して直線的に変化する。これらの変化率の比は電子線照射及び原子炉の中性子照射では0.4~0.8k/$$mu$$$$Omega$$・mであり、600keVのArイオン照射した薄膜では0.1から2k/$$mu$$$$Omega$$・mであると報告されている。電子線中性子照射または高エネルギーのXeイオンを照射した焼結ペレットの磁化率から求めた臨界電流密度は、臨界温度が1k程度以下上昇する極く僅かの照射によって、向上する。薄膜に臨界温度が3k変化する程度に25MeVの$$^{16}$$Oイオンを照射すると、電気伝導率から直接求めた臨界電流密度は1T以上の磁界中で上昇する。外部臨界をかけない状態では電気伝導率から求めた臨界電流密度は照射量が増加するにしたがって、単調に減少する。

論文

Election irradiation effects on Ba$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$ superconductor

白石 健介; 伊藤 洋; 依田 修

Japanese Journal of Applied Physics, 27(12), p.L2339 - L2341, 1988/12

https://doi.org/10.1143/JJAP.27.L2339
 被引用回数：27 パーセンタイル：76.95(Physics, Applied)

焼結したBa$$_{2}$$YCu$$_{3}$$O$$_{7}$$単相のペレットを約370kで、3MeVの電子線を3$$times$$10$$^{22}$$m$$^{-2}$$まで順次照射し、照射前後の電気抵抗を温度の関数として測定した。照射前に92.5kであった超電導臨界温度は電子線の照射量に対してほぼ直線的に低下し、その低下率は3k/10$$^{23}$$m$$^{-2}$$である。

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