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論文

Shape elongation of embedded Zn nanoparticles induced by swift heavy ion irradiation; A SAXS study

雨倉 宏*; 河野 健一郎*; 大久保 成彰; 石川 法人

Physica Status Solidi (B), 252(1), p.165 - 169, 2015/01

 被引用回数:8 パーセンタイル:37.86(Physics, Condensed Matter)

Znナノ粒子に200MeV Xeイオンを照射した後、照射に伴うナノ粒子の伸長と粒子間平均距離を評価するためにSPring-8においてX線小角散乱測定を行った。高照射量領域において、小角散乱信号の方位角依存性が現れ、ナノ粒子の形状変化を検知することができた。また、イオントラック(柱状欠陥集合体)の形成に伴う小角散乱信号は、低照射量でも観測された。この結果は、イオントラックが重畳するときに新たに通過するイオントラックが事前に存在したイオントラックを消去して上書きするオーバーライティングモデルを支持するものである。また、粒子間平均距離は照射量増加に伴って増加し、小さいナノ粒子の分解と大きいナノ粒子の成長を示唆している。

論文

Nonequilibrium dynamics of multiorbital correlated electron system under time-depending electric field

大西 弘明

Physica Status Solidi (B), 250(3), p.553 - 556, 2013/03

 被引用回数:0 パーセンタイル:0(Physics, Condensed Matter)

To clarify a role of orbital degrees of freedom in the response to an external field, we investigate the real-time dynamics under applied electric fields in a one-dimensional orbital degenerate Hubbard model, by exploiting numerical techniques. Let us here consider a chain along the $$z$$ axis with $$e_{rm g}$$-orbital degrees of freedom on each site and one electron per site. In the ground state, the itinerant $$d_{3z^2-r^2}$$ orbital is singly occupied and the localized $$d_{x^2-y^2}$$ orbital is empty, while the spin state exhibits antiferromagnetic correlations. After an oscillating electric field is turned on, holon-doublon pairs are created. As the time evolves, the ferro-orbital state is deformed due to the pair-hopping process that is characteristic of multi-orbital systems. Regarding the spin state, we observe the suppression of the antiferromagnetic correlations. We will also address the other filling case.

論文

Electronic states in antiferromagnet UCd$$_{11}$$ and reference compound ThCd$$_{11}$$; Studied by the de Haas-van Alphen effect

広瀬 雄介*; 三浦 泰直*; 堤 泰樹*; 吉内 伸吾*; 大家 政洋*; 杉山 清寛*; 竹内 徹也*; 山上 浩志*; 山本 悦嗣; 芳賀 芳範; et al.

Physica Status Solidi (B), 250(3), p.642 - 645, 2013/03

 被引用回数:3 パーセンタイル:17.78(Physics, Condensed Matter)

Electronic states of an antiferromagnet UCd$$_{11}$$ and its reference compound ThCd$$_{11}$$ were investigated by means of de Haas-van Alphen (dHvA) effect. From the cyclotron effective mass determined from the dHvA oscillation, the electronic specific heat of UCd$$_{11}$$ was estimated as 100 mJ/K$$^2$$mol, much smaller than 840 in the previous report. The result suggests that magnetic excitation contributes significantly to the specific heat.

論文

Quantum critical magnetization behaviors of kagome- and triangular-lattice antiferromagnets

坂井 徹; 中野 博生*

Physica Status Solidi (B), 250(3), p.579 - 582, 2013/01

 被引用回数:9 パーセンタイル:44.68(Physics, Condensed Matter)

カゴメ格子及び三角格子反強磁性体の磁化過程について、数値対角化と有限サイズスケーリングによって解析した結果を報告する。特に、飽和磁化の3分の1付近における異常な量子臨界現象に焦点を当てる。われわれの以前の解析により、カゴメ格子反強磁性体では、磁化ランプと呼ぶべき新しい量子臨界現象が起きるのに対し、三角格子では従来の磁化プラトーが生じることがわかった。本研究では、カゴメ格子及び三角格子反強磁性体の両方を含む拡張格子模型を考え、磁化ランプと磁化プラトーの間の量子相転移を調べる。

論文

Band structures of CeRu$$_2$$(Si$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$)$$_2$$ studied by resonant soft X-ray ARPES

岡根 哲夫; 大河内 拓雄*; 竹田 幸治; 藤森 伸一; 保井 晃; 斎藤 祐児; 山上 浩志; 藤森 淳; 松本 裕司*; 杉 基紀*; et al.

Physica Status Solidi (B), 247(3), p.397 - 399, 2010/03

Angle-resolved photoelectron spectroscopy measurements were made in the Ce $$3d$$$$rightarrow$$4$$f$$ resonance energy region for the paramagnetic state of CeRu$$_2$$Si$$_2$$, CeRu$$_2$$(Si$$_{0.82}$$Ge$$_{0.18}$$)$$_2$$ and LaRu$$_2$$Si$$_2$$ to investigate a variation of band structures around the quantum critical point. The results indicate that the Ce $$4f$$ electrons in the paramagnetic state have an itinerant character and participate in the formation of energy bands both in CeRu$$_2$$Si$$_2$$ and CeRu$$_2$$(Si$$_{0.82}$$Ge$$_{0.18}$$)$$_2$$, and the change of the band structures in the paramagnetic states should be continuous around the quantum critical point of the CeRu$$_2$$(Si$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$)$$_2$$ system.

論文

Fermi surface properties of YbCu$$_2$$Si$$_2$$

松田 達磨; Dung, N. D.*; 芳賀 芳範; 池田 修悟*; 山本 悦嗣; 石倉 達朗*; 遠藤 豊明*; 竹内 徹也*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦

Physica Status Solidi (B), 247(3), p.757 - 759, 2010/03

 被引用回数:2 パーセンタイル:13.13(Physics, Condensed Matter)

われわれは、重い電子系YbCu$$_2$$Si$$_2$$の純良単結晶育成に成功した。電子比熱係数は150mJ/K$$^2cdot$$molと、電気抵抗における門脇-Woods関係から得られる値と矛盾がない。ドハース・ファンアルフェン効果による信号の観測に成功し、大きなサイクロトロン有効質量の観測にも成功した。これらの結果を4$$f$$電子を持たないYCu$$_2$$Si$$_2$$の結果と比較を行った結果、大きなフェルミ面のトポロジーの違いとサイクロトロン有効質量の違いがみられ、このことから、Ybの4$$f$$電子が大きくフェルミ面に寄与していることが明らかとなった。

論文

Field-induced nematic phase in the spin ladder system with easy-axis anisotropy

坂井 徹; 利根川 孝*; 岡本 清美*

Physica Status Solidi (B), 247(3), p.583 - 585, 2010/03

 被引用回数:2 パーセンタイル:13.13(Physics, Condensed Matter)

磁場中の容易軸異方性を持つスピンラダー系について、数値的厳密対角化,密度行列切り込み群,有限サイズスケーリングを用いて理論的に研究した。その結果、臨界磁場よりも項磁場側で、スピン・ネマティック相が実現することがわかった。さらに、別の臨界磁場で、ネマティック相から従来の朝永・ラッティンジャー液体相への量子相転移が起きることもわかった。結合異方性と磁化による相図を数値対角化により求めた。また幾つかの典型的な磁化曲線を密度行列繰り込み群により計算した。

論文

Diagnosis of quantum criticality by nuclear spin-echo decay method

神戸 振作; 酒井 宏典; 徳永 陽; 中堂 博之; Walstedt, R. E.*

Physica Status Solidi (B), 247(3), p.520 - 524, 2010/03

 被引用回数:2 パーセンタイル:13.13(Physics, Condensed Matter)

重い電子系の量子臨界挙動の診断にはNMRスピンエコー減衰法を用いて決めるスピン-スピン緩和時間が有効である。スピン-格子緩和時間と合わせて、$$T_1T/T_{2G}^2 sim T^{phi}$$の臨界指数$$phi$$が量子臨界の起原により異なることを見いだした。重い電子系USn$$_3$$$$T_1T/T_{2G}^2$$は低温で一定となり、SDW磁気不安定性による量子臨界が起きていることを見いだした。

論文

EPR identification of intrinsic defects in SiC

磯谷 順一*; 梅田 享英*; 水落 憲和*; Son, N. T.*; Janz$'e$n, E.*; 大島 武

Physica Status Solidi (B), 245(7), p.1298 - 1314, 2008/07

 被引用回数:62 パーセンタイル:88.97(Physics, Condensed Matter)

炭化ケイ素(SiC)中の真性欠陥を電子常磁性共鳴(EPR)を用いて同定した。試料は立方晶(3C)及び六方晶(4H, 6H)を用い、電子線照射温度,量及び熱処理温度を工夫することでSiC中に特定の欠陥を生成した。$$^{29}$$Si, $$^{13}$$Cの超微細相互作用の角度依存性と第一原理計算結果を比較することで欠陥同定を行った。その結果、正に帯電した$$h$$及び$$k$$サイトの炭素空孔型欠陥(V$$_{C}$$$$^{+}$$($$h$$), V$$_{C}$$$$^{+}$$($$k$$)),負に帯電した$$h$$サイトの炭素空孔型欠陥(V$$_{C}$$$$^{-}$$($$h$$)),中性,正及び負に帯電したシリコン空孔と炭素空孔の複合欠陥([V$$_{Si}$$V$$_{C}$$]$$^{0}$$, [V$$_{Si}$$V$$_{C}$$]$$^{+}$$, [V$$_{Si}$$V$$_{C}$$]$$^{-}$$)の同定に成功した。

論文

Exchange bias and uncompensated spins in a Fe/Cr(100) bilayer

Kim, K. Y.*; Hwang, Y. S.*; Park, J.-G.*; 鳥飼 直也*; 武田 全康; Han, S. W.*; Shin, S. C.*

Physica Status Solidi (B), 244(12), p.4499 - 4502, 2007/12

 被引用回数:0 パーセンタイル:0(Physics, Condensed Matter)

交換磁気結合が働く2層膜構造のFe/Cr(100)の交換結合と保磁力の磁場中冷却効果をSQUID磁束計で調べた。磁場中冷却を行うと、新たに磁化が誘起されて、磁化の絶対値が増加した。この増加は、界面で固定されていたCrのスピンが存在することの証拠であると解釈することができる。さらに、すべてのスピンは、保磁力や磁化の増加には寄与しているものの、交換磁気バイアス効果に対してはすべてのスピンが関与しているわけではないことを見いだした。

論文

Improvement of luminescence capability of Tb$$^{3+}$$-related emission by Al$$_{x}$$Ga$$_{1-x}$$N

中西 康夫*; 若原 昭浩*; 岡田 浩*; 吉田 明*; 大島 武; 伊藤 久義

Physica Status Solidi (B), 240(2), p.372 - 375, 2003/11

 被引用回数:17 パーセンタイル:63.98(Physics, Condensed Matter)

窒化物半導体の光通信用素子への応用を目的に、TbドープAl$$_{x}$$Ga$$_{1-x}$$Nの発光特性を調べた。これまで、TbドープGaNでは4f-4f遷移による500nm$$sim$$600nmの波長を持つ発光特性が低温で出現すること,室温では熱消滅により発光が急激に減少することを明らかにしているが、素子応用にはより高温での発光特性が望まれる。本研究では、Al組成比を変化させることでバンドギャップを変化させ、熱消滅の要因となるErのトラップレベルからの電子の漏れを防ぐことを狙った。試料はサファイア基板上に有機金属気相成長法により作製した。Tbドープにはイオン注入(200keV, 1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$)を用いた。注入後、結晶性の回復のため10%アンモニア含有窒素中で1000から1150$$^{circ}$$Cの熱処理を行った。フォトルミネッセンスにより発光特性を調べた結果、14Kの低温においてx=0.1ではx=0に比べ5倍強度が強いことが明らかとなった。発光強度の温度依存性を調べたところ、x=0の試料では7.8meVの活性化エネルギーで発光が消滅するが、xの増加とともに活性化エネルギーが上昇し、x=0.1では70meVとなり、Alの混晶効果により高温でも安定な発光が得られることが見いだされた。

論文

X-ray diffraction study on structural change in liquid selenium under high pressure

片山 芳則; 水谷 剛; 内海 渉; 下村 理; 辻 和彦*

Physica Status Solidi (B), 223(2), p.401 - 404, 2001/01

 被引用回数:18 パーセンタイル:66.36(Physics, Condensed Matter)

液体セレンは常圧では鎖状分子からなる半導体である。以前の高圧下でのX線回折実験によって、8.4GPaでの液体セレンの構造は常圧での液体テルルの構造に似ていることがわかった。液体テルルは金属であることから、この結果は液体セレンが高圧下で金属になることを示唆している。事実、液体セレンの電気伝導度が高圧下で急激に下がることが最近報告された。この半導体金属転移と構造変化の関係を調べるために、転移の境界線付近でのX線回折実験をSPring-8の原研材料科学ビームラインを用いて行った。その結果、液体セレンの2.2GPaでの構造因子は常圧のものと似ているが、3.5GPa以上では第1ピークと第2ピークの強度比が逆転していくことがわかった。この強度比の逆転は約4GPaで温度を上げたときにも観察された。これらの結果は、半導体金属転移が構造の変化を伴うことを示している。

論文

Positron annihilation due to silicon vacancies in 3C and 6H SiC epitaxial layers induced by 1MeV electron irradiation

河裾 厚男; Redmann, F.*; Krause-Rehberg, R.*; 吉川 正人; 児島 一聡; 伊藤 久義

Physica Status Solidi (B), 223(2), p.R8 - R10, 2001/01

炭化ケイ素(SiC)半導体の空孔型欠陥における陽電子消滅パラメータを実験的に決定するため、1MeV電子線を照射したn型立方晶(3C)及び六方晶(6H)SiC単結晶に対し、陽電子ビームを用いて消滅$$gamma$$線エネルギーのドップラー拡がり測定を行った。未照射SiCのS及びWを各々エネルギーウィンドウを511.0-5113.8keV,516.0-522.0keVに設定して求めた結果、バルク領域の値として結晶型によらずS$$_{B}$$=0.435-0.437,W$$_{B}$$=0.0032-0.0033が得られた。また、照射後の等時アニールによりSパラメータは約200$$^{circ}C$$,700$$^{circ}C$$で減少すること、Wパラメータに比例して変化することがわかり、照射SiCでは陽電子は1種類の欠陥、即ちSi空孔で捕獲されると見なせることが確認できた。Si空孔濃度を考慮した解析の結果、Si空孔における特性S,WパラメータとしてS$$_{V}$$=1.028$$pm$$0.003,W$$_{V}$$=0.834$$pm$$0.005が決定できた。

論文

Intrinsic luminescence from Li$$_{2}$$O crystals excited in the exciton-band region

伊藤 稔*; 村上 順一*; 石井 慶信

Physica Status Solidi (B), 213, p.243 - 251, 1999/00

 被引用回数:11 パーセンタイル:55.59(Physics, Condensed Matter)

本論文は、紫外線で良質の酸化リチウム(Li$$_{2}$$O)を励起した時に試料からの発光(ルミネセンス)を測定したものである。測定はおもにLi$$_{2}$$Oの基礎吸収端近傍のエネルギー範囲で、20Kの低温で行った。その結果、3.70eVと4.75eVの2つの発光帯が観測された。この2つの発光帯はLi$$_{2}$$Oのエキシトンの反射スペクトルエネルギー7.02eVよりそれぞれ低エネルギー及び高エネルギーの光で励起されたときに観測されることがわかった。また、発光スペクトルの強度及びそのFWHM値の温度依存性9Kから300Kまでの温度範囲で測定した結果、4.75eV発光は励起された自己束縛励起子の緩和過程に起因し、3.70eV発光は欠陥または不純物に関係することが明らかになった。さらに、4.75eV発光帯について得られた結果を自己束縛励起子の理論モデルと比較検討した。

論文

Resonant auger electron spectra at Si-, P-, S-, and Cl-1s thresholds of condensed molecules

吉井 賢資; 馬場 祐治; 佐々木 貞吉

Physica Status Solidi (B), 206, p.811 - 822, 1998/00

 被引用回数:9 パーセンタイル:48.49(Physics, Condensed Matter)

いくつかの分子の凝縮系におけるSi,P,S及びCl1s吸収端で、共鳴オージェスペクトルを測定した。その結果次の現象を見出した。(1)1s励起でもっとも分岐率の大きい崩壊過程は、KLL遷移である。(2)スペクテータ・オージェピークが励起光エネルギーに対し比例したエネルギーシフトとエネルギー巾の減少を示す。(3)Si(CH$$_{3}$$)3Clにおける非占軌道は、Si3P$$^{ast}$$は局在的、Cl3P$$^{ast}$$は非局在的である。(4)SiCl$$_{4}$$における非占軌道は、Si3P$$^{ast}$$,Cl3P$$^{ast}$$とも局在的である。(3)との比較から、-CH$$_{3}$$基が系に非局在性を与えることが分かった。

論文

Vacancy-type defects in Cd, Al, Si, and GaAs studied using variable-energy positron beam

高村 三郎; 伊藤 泰男*

Physica Status Solidi (B), 172(2), p.529 - 537, 1992/08

 被引用回数:1 パーセンタイル:8.69(Physics, Condensed Matter)

各種材料をイオン照射して空孔型欠陥を導入し、これにエネルギー可変の低速陽電子ビームを当てて、空孔型欠陥の深さ分布を測定した。イオン照射後昇温し、空孔の回復に伴う陽電子消滅でのSパラメータの変化を調べ、解析を行った。

論文

Exchange coupling model in neutron-irradiated graphite

数又 幸生; 中野 嘉明*; 湯郷 成美*; 木村 忠正*

Physica Status Solidi (B), 136, p.325 - 329, 1986/00

 被引用回数:4 パーセンタイル:27.33(Physics, Condensed Matter)

パイロ黒鉛に中性子照射し、測定温度の変化による、常磁性共鳴吸収の変化を、4Kから300K迄、観測した。実験結果は、モロゾフスキー・モデルとS-d相互作用の理論を用いて、説明された。この事から、中性子照射においても、局在スピンは、生成され、しかもフェルミ面から、非常に浅いレベルに存在することが、明らかになった。

論文

Electronic structure of molybdenum dioxide calculated by the X$$_{alpha}$$ method

佐々木 貞吉; 曽我 猛; 足立 裕彦*

Physica Status Solidi (B), 113, p.647 - 655, 1982/00

 被引用回数:17 パーセンタイル:64.34(Physics, Condensed Matter)

抄録なし

論文

Moessbauer effect of $$gamma$$-irradiated CaF$$_{2}$$ doped with $$^{5}$$$$^{7}$$Co

佐藤 好毅

Physica Status Solidi (B), 82, p.611 - 616, 1977/00

 被引用回数:4

放射線計測の分野でよく利用され、且つUO$$_{2}$$と同系のCaF$$_{2}$$中の不純物の挙動および放射線損傷を結晶に導入した$$^{5}$$$$^{7}$$Coのメスバウアー効果によって調べた。未照射の結晶ではスペクトルは3本からなり、これらの温度依存性を理論的に解析し、$$^{5}$$$$^{7}$$Coが崩壊してできた$$^{5}$$$$^{7}$$Feは2価のイオンとして正格子点および1個の正空孔をともなって格子間に入ることが結論される。$$Gamma$$線を照射すると新しく1本の線が観測され、その強度は照射量と共に直線的に増加する。これは$$gamma$$線によって上述の正空孔の一部がCa$$^{2}$$$$^{+}$$でうめられる結果としてよく説明される。$$Gamma$$線照射後の結晶を高温で焼鈍するとスペクトルは2本だけとなる。これはすべてのFe$$^{2}$$$$^{+}$$が格子間に入り隣り合う2個の正空孔をともなった結果であることが理論解析との一致から結論される。

論文

Optical absorption of LiF Crystals irradiated with neutrons at liquid nitrogen temperature

上川 友好*; 数又 幸生; 小沢 国夫

Physica Status Solidi (B), 14(2), p.435 - 444, 1966/00

 被引用回数:9

抄録なし

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