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論文

Inverse odd-even staggering in nuclear charge radii and possible octupole collectivity in $$^{217,218,219}$$At revealed by in-source laser spectroscopy

Barzakh, A. E.*; Cubiss, J. G.*; Andreyev, A. N.; Seliverstov, M. D.*; Andel, B.*; Antalic, S.*; Ascher, P.*; Atanasov, D.*; Beck, D.*; Biero$'n$, J.*; et al.

Physical Review C, 99(5), p.054317_1 - 054317_9, 2019/05

 被引用回数:3 パーセンタイル:22.15(Physics, Nuclear)

Hyperfine-structure parameters and isotope shifts for the 795-nm atomic transitions in $$^{217,218,219}$$At have been measured at CERN-ISOLDE, using the in-source resonance-ionization spectroscopy technique. Magnetic dipole and electric quadrupole moments, and changes in the nuclear mean-square charge radii, have been deduced. A large inverse odd-even staggering in radii, which may be associated with the presence of octupole collectivity, has been observed. Namely, the radius of the odd-odd isotope $$^{218}$$At has been found to be larger than the average.

論文

Vortex charge in the superconducting state

町田 昌彦; 小山 富男*

Physica C, 378-381(Part1), p.443 - 447, 2002/12

最近、超伝導磁束量子コア近傍における電荷の分布が注目され、幾つかの条件下では電荷の中性条件が破れているという提案がなされてきた。また、高温超伝導体に対して電荷分布を実際に測定するという実験も行われ、実際に磁束コア近傍には電荷が堆積していることが確かめられている。こうした事情を背景とし、報告者らはこれまでの現象論的解釈を越え、微視的BCS理論をもとにして電荷分布を計算する理論を構築し、実際に数値シミュレーションによりその分布を求めた。その結果、電荷分布は磁束中心を中心として超伝導コヒーレンス長程度の振動を見せながら減衰することがわかった。

論文

Precision determination of charge dispersion and distribution in the proton-induced fission of $$^{238}$$U at 13.9MeV excitation

横山 明彦*; 高橋 成人*; 二谷 訓子*; 馬場 宏*; 春日 良一*; 山口 貴行*; 矢野 大作*; 高宮 幸一*; 篠原 伸夫; 塚田 和明; et al.

Z. Phys., A, 356(1), p.55 - 60, 1996/00

励起エネルギー13.9MeVにおける$$^{238}$$Uの陽子誘起核分裂において生成した核分裂生成物の電荷分散と電荷分布を、放射化学的手法を用いて精度よく求めた。電荷分布を基に最適電荷値を求め、核分裂片からの放出中性子数を見積もった。

論文

Abrupt changes of the characteristics of the proton-induced fission of $$^{238}$$U around 14-MeV excitation

馬場 宏*; 横山 明彦*; 高橋 成人*; 二谷 訓子*; 春日 良一*; 山口 貴行*; 矢野 大作*; 高宮 幸一*; 篠原 伸夫; 塚田 和明; et al.

Z. Phys., A, 356(1), p.61 - 70, 1996/00

$$^{238}$$Uの陽子誘起核分裂(入射陽子エネルギー9.0及び12.4MeV)で生成する核分裂生成物の電荷分布を、放射化学的手法を用いて精度良く求めた。この結果励起エネルギー14MeV近傍で電荷分布に急激な様相の変化を観測した。これは励起エネルギー14MeV付近で異なる核分裂機構が存在する可能性を示唆している。

論文

NH$$_{3}$$アニールしたMOS構造における酸化膜中電荷分布の$$gamma$$線照射による変化; ゲート電圧依存性

今木 俊作*; 高橋 芳浩*; 吉川 正人; 大西 一功*

平成7年度日本大学理工学部学術講演会論文集, 0, p.151 - 152, 1995/00

これまでに、MOS構造の酸化膜厚に対するミッドギャップ電圧より酸化膜中電荷分布を評価する方法を提案して、NH$$_{3}$$中で高温アニールを施した酸化膜を有するMOS構造の酸化膜中電荷分布、およびその$$gamma$$線照射による変化を評価してきた。今回、照射による電機的特性変化のメカニズム解明を目的に、照射中のゲート電圧の違いによる電荷分布の変化について検討した。その結果、シリコン界面から10~30nm離れた酸化膜中ではNH$$_{3}$$アニールにより捕獲電荷が発生し、照射により正電圧印加時には正電荷が、負電圧印加時には負電荷がそれぞれ増加することがわかった。これらの結果より、NH$$_{3}$$アニールにより正孔、電子トラップが酸化膜中で生成され、照射により膜中で発生した電子および正孔がこれらのトラップに捕獲されること、また印加電圧依存性は発生電荷のドリフト方向の違いにより説明できることがわかった。

論文

傾斜エッチング法によるMNOS構造絶縁膜中電荷分布評価

箱守 厚志*; 斎藤 一成*; 高橋 芳浩*; 吉川 正人; 大西 一功*

平成7年度日本大学理工学部学術講演会論文集, 0, p.153 - 154, 1995/00

これまでに、Si基板上の酸化膜厚をエッチングにより同一基板内で連続的に変化させ、各膜厚に対するMOS構造のミッドギャップ電圧より酸化膜中の電荷分布を評価する方法を提案してきた。今回、本方法を用いてシリコン窒化膜-シリコン酸化膜の2層絶縁膜構造を有するMNOS構造の絶縁膜中電荷分布を評価した。この結果、窒化膜を有する多層絶縁膜構造においても、本方法により電荷分布評価が可能であり、シリコン界面付近の酸化膜中および酸化膜-窒化膜界面付近に捕獲電荷が局在していることがわかった。また、酸化膜-窒化膜界面付近の捕獲正電荷量は窒化膜製膜後の熱処理により減少することが確認された。また、$$gamma$$線照射による電荷分布の変化を評価した結果、シリコン界面付近では照射により捕獲正電荷量が増加し、一方、酸化膜-窒化膜界面付近の捕獲正電荷量は減少することがわかった。

論文

MOS構造の$$gamma$$線照射前後での酸化膜中電荷分布評価

岡田 耕平*; 今木 俊昨*; 高橋 芳浩*; 吉川 正人; 大西 一功*

電子情報通信学会技術研究報告, 93(172), p.23 - 27, 1993/07

シリコンMOS構造の放射線照射効果の1つとして、酸化膜中の正の固定電荷の蓄積がある。この固定電荷の捕獲位置は不明瞭であり、電荷捕獲機構についてもわからない点が多い。これらの点を明らかにするためには、酸化膜中の捕獲位置を明らかにする必要がある。今回我々は、フッ酸中に酸化膜を浸析させ酸化膜を傾斜エッチングする技術を開発し、これを用いて同一試料中に酸化膜厚の異なるMOS構造を作製した。各膜厚のミッドギャップ電圧を高周波C-V法を用いて測定し、MOS構造酸化膜中の固定電荷蓄積量と膜厚(膜中の固定電荷の位置)の関連性を追求した。その結果、酸化膜中ではSi/SiO$$_{2}$$界面付近に固定電荷が局在し、その量は酸化膜厚に依存しないことがわかった。また照射時の電荷量はMOS構造作製時の酸化温度に大きく依存することが明らかになった。

論文

傾斜エッチング法による絶縁膜中電荷分布測定

今木 俊作*; 岡田 耕平*; 高橋 芳浩*; 吉川 正人; 大西 一功*

平成5年度 (第37回)日本大学理工学部学術講演会講演論文集; 材料・物性, p.135 - 136, 1993/00

放射線照射や電荷注入による捕獲電荷がMIS構造の絶縁膜中において分布する場合、その膜中電荷分布を把握することが電荷捕獲機構や素子特性への影響などを解明する上で重要である。そこで同一素子内で絶縁膜厚をエッチングによって変化させ、各膜厚に対するMIS構造のミッドギャップ電圧より膜中の電荷分布評価を行う方法を考案し、MOS構造についてNH$$_{3}$$アニール後および放射線照射前後での酸化膜中電荷分布を評価した。この結果NH$$_{3}$$アニールにより電極界面付近の電荷量が変化し、Si-SiO$$_{2}$$界面準位が増加することがわかった。また放射線照射前の酸化膜中ではSi-SiO$$_{2}$$界面付近に正電荷が局在し、電荷量は製作時の初期酸化膜厚には依存せず、酸化温度上昇に伴って減少すること、放射線照射後ではSi-SiO$$_{2}$$界面付近で正電荷が捕獲され、その捕獲量は酸化温度に依存することがわかった。

論文

電子ビーム加熱蒸発部生成プラズマ中イオンの価数

柴田 猛順; 小倉 浩一; 大場 弘則

真空, 36(12), p.928 - 931, 1993/00

電子銃加熱で原子ビームを生成させると蒸発部でプラズマが生成する。著者等はガドリニウム蒸発時のプラズマの電子温度、電離度を報告している。ここではさらにドリフト速度と電荷分布を測定した。プラズマ内に置いた電極にパルス的に負電圧を印加すると、プラズマ密度が薄くなりこの部分がドリフト速度で上昇する。電極の上部に置いたラングミュアープローブのイオン電流はパルス電圧印加時の一定時間後減少する。この時間遅れよりドリフト速度を求めた。この速度は原子ビームの1.3~1.4倍であった。プラズマ内のイオンを四重極質量分析計で調べ電荷分布を求めた。多価イオンは検出されず、一価イオンのみであった。これはGdの多価イオンとGd原子の衝突で一価イオンのみになるためと思われる。

論文

Statistical emission of complex fragments produced in the reaction $$^{37}$$Cl + $$^{68}$$Zn

永目 諭一郎; 池添 博; 馬場 澄子*; 畑 健太郎; 関根 俊明; 市川 進一; 間柄 正明*; 井出野 一実; 横山 明彦*; 初川 雄一; et al.

Nuclear Physics A, 510, p.518 - 532, 1990/00

$$^{37}$$Cl + $$^{68}$$Zn重イオン核反応で生成される重粒子(原子番号Z:5≦Z≦29)の運動エネルギー分布、角度分布、及び電荷分布を測定した。角度後方で測定されたこれら重粒子の特徴は、複合法からの蒸発生成物のそれとよく一致していた。また、電荷分布は統計モデルの計算でよく再現されこれら重粒子が複合核からの質量分割で生成していることを確認した。一方、対称分割生成物の電荷分布の巾は、反応に関与する角運動量に強く依存することがわかった。

論文

核分裂の放射化学

梅澤 弘一

化学, 19(7), p.681 - 685, 1964/00

1930年代の終わりに核分裂の現象が発見されてから、その応用面の非常に急速な発展に比べれば、核分裂過程そのものの基礎的な研究は遅々としたものであったが、最近ようやく盛んになってきた。ここでは主に放射化学的方法による最近の研究について述べることにする。

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