大島 武; 上殿 明良*; 伊藤 久義; 阿部 功二*; 鈴木 良一*; 大平 俊平*; 青木 康; 谷川 庄一郎*; 吉川 正人; 三角 智久*; 奥村 元*; 吉田 貞史*; 梨山 勇
Oshima, Takeshi; Uedono, Akira*; Ito, Hisayoshi; Abe, Koji*; Suzuki, Ryoichi*; not registered; Aoki, Yasushi; Tanigawa, Shoichiro*; Yoshikawa, Masahito; Mikado, Tomohisa*; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*; Nashiyama, Isamu
イオン注入により発生する照射欠陥とその熱アニールによる回復についての情報を得るために、陽電子消滅測定を行った。試料はCVC法により作成した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)を用い、イオン注入は室温で、200keV-N
を1
10
/cm
行った。注入後の熱アニール処理は~1400
Cまで行い、それぞれの温度でアルゴン中で20分間行った。陽電子消滅測定の結果、室温~1000Cまでは空孔型欠陥のサイズが増加し、空孔クラスターを形成するが、1000C以上では空孔型欠陥のサイズは減少し、1200C以上では消滅していくことが分かった。また、照射によりダメージを受けた領域の回復は結晶の奥の方から始まり、アニール温度の上昇に従って表面へ移動してくることも明らかになった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 264-268 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.745 - 748 |
発行年月 |
: | 1998/00 |
発表会議名 |
: | Int. Conf. on Silicon Carbide, III-nitrides and Related Materials-1997 |
開催年月 |
: | 1997/09 |
開催都市 |
: | Sweden |
開催国 |
: | |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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Altmetrics |
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