-rays線照射した6H-SiC MOS構造酸化膜中の固定電荷の生成メカニズム吉川 正人; 斉藤 一成*; 大島 武; 伊藤 久義; 梨山 勇; 高橋 芳裕*; 大西 一功*; 奥村 元*; 吉田 貞史*
Yoshikawa, Masahito; not registered; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Nashiyama, Isamu; not registered; Onishi, K.*; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*
+10V及び-10Vの電圧を印加しながら照射した傾斜酸化膜を用いて6H-SiC MOS構造を形成し、照射による酸化膜中の固定電荷の深さ方向分布の変化を調べた。未照射の酸化膜中には、SiO
/6H-SiC界面に負の、その界面から40nm離れた所には正の固定電荷が存在することがわかっているが、+10Vの電圧を印加しながら照射すると、正の固定電荷は界面にしだいに近づき、界面の負の固定電荷と重なって電気的に中性になることがわかった。一方、-10Vの電圧を加えながら照射すると、界面の負の固定電荷は増加し、正電荷は消滅した。酸化膜中の固定電荷分布は照射中に印加される電圧の極性に大きく依存することがわかった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 264-268 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.1017 - 1020 |
発行年月 |
: | 1998/00 |
発表会議名 |
: | Int. Conf. on Silicon Carbide, III-nitrides and Related Materials-1997 |
開催年月 |
: | 1997/09 |
開催都市 |
: | Sweden |
開催国 |
: | |
キーワード |
: | MOS; |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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