The Irradiation facilities for the radiation tolerance testing of semiconductor devices for space use in Japan

宇宙用半導体デバイスの耐放射線性試験のための日本における照射施設

西堂 雅博; 福田 光宏; 荒川 和夫; 田島 訓; 須永 博美; 四本 圭一; 神谷 富裕; 田中 隆一; 平尾 敏雄; 梨山 勇; 大島 武; 伊藤 久義; 岡田 漱平; 根本 規生*; 久保山 智司*; 松田 純夫*

Saido, Masahiro; Fukuda, Mitsuhiro; Arakawa, Kazuo; Tajima, Satoshi; Sunaga, Hiromi; Yotsumoto, Keiichi; Kamiya, Tomihiro; Tanaka, Ryuichi; Hirao, Toshio; Nashiyama, Isamu; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Okada, Sohei; Nemoto, N.*; Kuboyama, Satoshi*; Matsuda, Sumio*

宇宙用半導体デバイスとして、高機能の民生部品を使用する方針が、開発期間の短縮、費用の節約という観点から採用され、以前にも増して放射線耐性試験を効率的、効果的に行うことが、重要となってきた。本報告では、トータルドーズ効果、シングルイベント効果等の試験を実施している日本の照射施設を紹介するとともに、これらの試験を効率的及び効果的に行うための技術開発、例えば、異なるLETイオンを短時間に変えることのできるカクテルビーム加速技術、シングルイベント効果の機構を解明するためのマイクロビーム形成技術及びシングルイオンヒット技術等について言及する。

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