大島 武; 上殿 明良*; 伊藤 久義; 吉川 正人; 児島 一聡; 岡田 漱平; 梨山 勇; 阿部 功二*; 谷川 庄一郎*; Frank, T.*; Pensl, G.*
Oshima, Takeshi; Uedono, Akira*; Ito, Hisayoshi; Yoshikawa, Masahito; Kojima, Kazutoshi; Okada, Sohei; Nashiyama, Isamu; Abe, Koji*; Tanigawa, Shoichiro*; Frank, T.*; Pensl, G.*
シリコンカーバイドSiC中のイオン注入不純物の電気的活性化と結晶性の回復の関係を調べた。不純物としてはリンを用いて、高温イオン注入により6H-SiCへ導入した。注入温度は室温から1200
Cの範囲として、リン濃度は5
10
/cm
とした。注入温度と電子濃度の関係を調べたところ800Cで注入した試料が最も電子濃度が高いことがわかった。陽電子消滅法により注入層の欠陥の注入後熱処理による回復を調べたところ、800C注入した試料の空孔型欠陥のサイズがほかのものに比べ小さく結晶性が良いことがわかった。したがって高濃度のイオン注入の場合は、800C程度の高温注入を行うことで、不純物の活性化率を向上させられると判断できる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 338-342 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.857 - 860 |
発行年月 |
: | 2000/00 |
発表会議名 |
: | International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 1999 (ICSCRM '99) |
開催年月 |
: | 1999/10 |
開催都市 |
: | USA |
開催国 |
: | USA |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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Altmetrics |
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