Characterization of defects in As-grown and electron-irradiated 3C-SiC epilayers by using slow positrons

低速陽電子を用いた単結晶3C-SiCエピ層及び電子線照射エピ膜中の欠陥の評価

伊藤 久義; 吉川 正人; 梨山 勇; L.Wei*; 谷川 庄一郎*; 三沢 俊司*; 奥村 元*; 吉田 貞史*

Ito, Hisayoshi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; L.Wei*; not registered; not registered; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*

化学気相成長(CVD)法によりSi基板上にエピタキシャル成長させて作製した単結晶3C-SiCに対し、1MeV電子線照射前後における欠陥を、低速陽電子を用いた陽電子消滅測定により評価した。この結果、消滅ガンマ線のエネルギースペクトルを表すSパラメータが、210e/cm以下の照射量領域で、照射量とともに減少し、スペクトルのドップラー幅が広がることが見い出された。さらに、この低照射量領域の電子線照射により、陽電子の有効拡散長が照射前と比較し増加することが解った。これらの結果は、エピタキシャル成長3C-SiC結晶中に空孔型欠陥が残存し、この欠陥が低照射量電子線照射によって減少することを示唆している。

no abstracts in English