Radiation curing of polyvinylsilane as a precursor for SiC-based material

SiC系材料のプレカーサーとしてのポリビニルシランの放射線架橋

出崎 亮; 杉本 雅樹; 田中 茂; 成澤 雅紀*; 岡村 清人*; 伊藤 正義*

Idesaki, Akira; Sugimoto, Masaki; Tanaka, Shigeru; Narisawa, Masaki*; Okamura, Kiyohito*; Ito, Masayoshi*

ポリビニルシラン(PVS)は室温で液体のケイ素系ポリマーであり、微小・複雑形状のSiC成型体のプレカーサーとして応用が期待されている。SiC成型体の合成において、焼成中に形状を維持するためにポリマーを架橋させる必要がある。われわれはPVSの架橋に放射線照射を用いた。ところが、室温で電子線を照射すると、PVSが発泡してしまう問題があった。本報では、線照射によるPVSの架橋を試み、PVSの発泡を抑制するための条件を見出すため、照射温度の影響について調べた。そして、液体窒素温度(77K)でも室温でも線照射によって発泡のない状態でPVSが架橋されることを明らかにした。また、ゲル分率測定,TGAの結果から、室温での照射の方が77Kよりも効率的にPVSが架橋されることを明らかにした。

Polyvinylsilane (PVS), a liquid organosilicon polymer at room temperature, is expected to be used as a precursor for SiC product with minute and complex shape. In the synthesis of the SiC product, it is necessary to cure the polymer in order to retain the shape during the pyrolysis. We have used a radiation for curing of the PVS. However, there is a problem that the PVS foams during electron beam irradiation at room temperature. In this report, the curing of PVS by -ray irradiation was examined, and effect of irradiation temperature was studied in order to find out conditions that prevent the foaming of PVS. It was found that the PVS is cured without foaming by the -ray irradiation in both cases of the irradiation temperature at liquid nitrogen temperature (77K) and at room temperature. From the results of measurement of gel fraction and TGA, it was found that the PVS is cured more efficiently by the irradiation at room temperature than at 77K.