) in 4
-SiC determined by pulsed ENDOR-SiC中のシリコン空孔 ( )のスピン多重度と荷電状態水落 憲和*; 山崎 聡*; 瀧澤 春喜; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; 梅田 享英*; 磯谷 順一*
Mizuochi, Norikazu*; Yamasaki, Satoshi*; Takizawa, Haruki; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Umeda, Takahide*; Isoya, Junichi*
炭化ケイ素(SiC)半導体中のSiサイトの空孔型欠陥( )のスピン(S)多重度と荷電状態をパルス電子-核二重共鳴法(ENDOR)を用いて決定した。試料にはn型の六方晶SiC(4-SiC)を用い、3MeVの電子線を4
10
/cm
照射することで を導入した。電子スピン共鳴(ESR)測定により非常に強い
Siの超微細相互作用(HF)が観測された342.3mTでのパルスENDOR測定を行い、得られたシグナルを電子スピン及び核スピンのゼーマン分裂,HF分裂を考慮して解析した結果、 はこれまで提唱されていた中性空孔ではなく、荷電状態-1,スピン状態S=3/2のSi空孔であると同定できた。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 72 |
号 |
: | 23 |
ページ数 |
: | p.235208_1 - 235208_6 |
発行年月 |
: | 2005/12 |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：83.64 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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