Si(110)-162初期酸化過程のリアルタイム光電子分光

Real time SR-XPS on initial oxidation process at Si(110)-162 surface

山本 喜久*; 富樫 秀晃*; 加藤 篤*; 長谷川 智*; 後藤 成一*; 中野 卓哉*; 末光 眞希*; 成田 克*; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿

Yamamoto, Yoshihisa*; Togashi, Hideaki*; Kato, Atsushi*; Hasegawa, Satoshi*; Goto, Seiichi*; Nakano, Takuya*; Suemitsu, Maki*; Narita, Yuzuru*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden

放射光光電子分光法を用いてSi(110)-162表面の初期酸化過程を調べた。この表面特有で他の面方位には見られない急激な初期酸化が観察された。O1s光電子スペクトルの解析から、Si-Si結合への酸素の挿入が初期酸化で主要な過程であることがわかった。その急速初期酸化はSi2pのサブピークの減少を伴う課程である。これはペンタゴンペアの優先的な酸化に伴うSi(110)-162表面の再配列を意味している。

We have investigated the initial oxidation process on an Si(110)-162 surface by real time synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SR-XPS). As a result, a rapid initial oxidation regime was found to exist on this surface, which is not present on other crystal orientations. Analyses of the O1s spectra suggest insertion of oxygen atoms at the Si-Si bonds as the predominant process during initial oxidation. The rapid initial oxidation is accompanied by decrease of the Si2p subpeak that is related to Si(110)-162 reconstruction, indicating the preferential oxidation at the pentagon pair.