線照射による電気特性への影響-ray irradiation on electrical characteristics of SiC schottky barrier diode木下 明将*; 田中 保宣*; 田中 知行*; 福田 憲司*; 荒井 和雄*; 大島 武; 菱木 繁臣
Kinoshita, Akimasa*; Tanaka, Yasunori*; Tanaka, Tomoyuki*; Fukuda, Kenji*; Arai, Kazuo*; Oshima, Takeshi; Hishiki, Shigeomi
宇宙や原子力の分野において使用される半導体デバイスは放射線に強いことが求められる。耐放射線半導体としてSiCは有力な候補として考えられており、SiCが大容量パワーデバイスとしての研究が広く行われている。SiCの耐放射線性は、その利用方法から放射線検出器としての報告が多くされているが、大容量パワーデバイスとしての耐放射線性の報告は少ない。そこで、600V耐圧のSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を作製し、線を照射することによる電気特性の変化を測定することで耐放射線性の評価を行った。その結果、47.5Mradの線照射によって耐圧の変化は見られなかったが、ショットキー障壁高さが照射後に増加する素子とわずかに減少する素子の2グループが存在することが判明した。
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使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2007/03 |
開催都市 |
: | 相模原 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
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