High-resolution photoemission study of the hybridization gap in the Kondo semiconductor CeRhAs

高分解能光電子分光による近藤半導体CeRhAsの混成ギャップの研究

島田 賢也*; 東口 光晴*; 有田 将司*; 生天目 博文*; 谷口 雅樹*; 藤森 伸一   ; 斎藤 祐児  ; 藤森 淳; 高田 恭孝*; Shin, S.*; 小林 啓介*; 池永 英司*; 矢橋 牧名*; 玉作 賢治*; 西野 吉則*; 三輪 大五*; 石川 哲也*; 笹川 哲也*; 高畠 敏郎*

Shimada, Kenya*; Higashiguchi, Mitsuharu*; Arita, Masashi*; Namatame, Hirofumi*; Taniguchi, Masaki*; Fujimori, Shinichi; Saito, Yuji; Fujimori, Atsushi; Takata, Yasutaka*; Shin, S.*; Kobayashi, Keisuke*; Ikenaga, Eiji*; Yabashi, Makina*; Tamasaku, Kenji*; Nishino, Yoshinori*; Miwa, Daigo*; Ishikawa, Tetsuya*; Sasakawa, Tetsuya*; Takabatake, Toshiro*

近藤半導体CeRhAs及び半金属CeRhSbの電子状態を、40-5948eVの放射光を利用した光電子分光により調べた。光励起断面積のエネルギー依存性に基づき、これらの物質のp-d-f状態を明らかにした。

We have examined the electronic states of the Kondo semiconductor CeRhAs and the semimetal CeRhSb by means of high-resolution photoemission spectroscopy using tunable photon energies from 40 up to 5948 eV. On the basis of the photon-energy dependence ofthe photoionization cross-section, we have elucidated the p-d-f hybridized states in these compounds.