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Observation of blue light emission from Si ion implanted fused silica substrates

Siイオン注入した溶融石英基板の青色発光現象の観測

三浦 健太*; 種村 豪*; 花泉 修*; 山本 春也; 高野 勝昌; 杉本 雅樹; 吉川 正人

Miura, Kenta*; Tanemura, Tsuyoshi*; Hanaizumi, Osamu*; Yamamoto, Shunya; Takano, Katsuyoshi; Sugimoto, Masaki; Yoshikawa, Masahito

Siイオンを注入した石英基板は、1100$$^{circ}$$Cのアニールによって赤色から近赤外域の発光を示し、しかも100cm$$^{-1}$$という大きな光利得が観測されていることから、Si系発光デバイスへの応用が期待できる。そこで今回は、TIARA内のイオン注入装置を用い、溶融石英基板(10mm$$times$$10mm$$times$$1mmt)に室温でSiイオンの注入を行った。注入エネルギーは80keVとし、注入量は1$$times$$10$$^{17}$$ions/cm$$^{2}$$とした。注入後、同一試料をダイヤモンドワイヤーソーで4分割し、そのうち3試料を電気炉にて1100$$^{circ}$$C, 1150$$^{circ}$$C, 1200$$^{circ}$$Cで25分間のアニールを行った。波長325nmのHe-Cdレーザにて励起したところ、この3つの試料すべてから、これまで観測されていなかった青色のフォトルミネッセンスが発現することを見いだした。発光ピーク波長は400nm付近であり、アニール温度によらず、ほぼ一定であった。1150$$^{circ}$$C以上のアニールにより、アニール温度1100$$^{circ}$$Cの試料から見られる従来の長波長側の発光ピークを抑制し、青色発光ピークのみを発現させることができた。今回の実験では、このピーク強度はアニール温度1200$$^{circ}$$Cで最大となった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

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発行年月

 :

発表会議名

 :

European Conference on Lasers and Electro-Optics and the International Quantum Electronics Conference (CLEO/Europe-IQEC 2007)

開催年月

 :

2007/06

開催都市

 :

Munich

開催国

 :

Germany

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

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受委託・共同研究相手機関

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群馬大学

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