角度分解共鳴光電子分光によるCeIrSiの電子構造の研究

Electronic structure of CeIrSi studied by angle-resolved resonant photoemission spectroscopy

利光 孝文; 大河内 拓雄; 保井 晃; 小林 正起*; 竹田 幸治   ; 岡根 哲夫  ; 斎藤 祐児  ; 藤森 淳*; 山上 浩志*; 宮内 裕一郎*; 奥田 悠介*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦*

Toshimitsu, Takafumi; Okochi, Takuo; Yasui, Akira; Kobayashi, Masaki*; Takeda, Yukiharu; Okane, Tetsuo; Saito, Yuji; Fujimori, Atsushi*; Yamagami, Hiroshi*; Miyauchi, Yuichiro*; Okuda, Yusuke*; Settai, Rikio*; Onuki, Yoshichika*

SPring-8 BL23-SUビームラインにおいて、反転対称性のない超伝導体であるCeIrSi単結晶の共鳴角度分解光電子スペクトルを測定した。この物質は今までに電気抵抗,磁気抵抗,dHvA効果の測定が行われ、その結果から、フェルミ面の議論もなされている。本研究では、常磁性状態(20K)における4電子のバンド分散、及びフェルミ面が明瞭に観測された。得られたバンド構造とフェルミ面、及びそれらのバンド計算(LDA)の結果との比較により、この物質において、Ceの4電子は比較的遍歴的な電子状態を持っていることがわかった。

We performed angle-resolved resonant photoemission spectroscopy on CeIrSi. CeIrSi is said to be the superconductor which lacks inversion symmetry and therefore the measurements of electronic conductivity, magnetoresistance, dHvA, and so on, have been made on so far. In this study, we observed extremely clear 4 derived band dispersions and Fermi surfaces. By these obtained profiles and comparison with those predicted by LDA calculation, Ce 4 electrons in CeIrSi have relatively itinerant electronic states.