回転エピ成長3C-SiC(111)/Si(110)の表面化学結合状態

Surface-chemical bonding states of rotated epitaxial thin film of 3C-SiC(111)/Si(110)

三本菅 正太*; 阿部 峻佑*; 高橋 良太*; 今泉 京*; 半田 浩之*; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 小嗣 真人*; 大河内 拓雄*; 木下 豊彦*; 伊藤 峻*; 吹留 博一*; 末光 眞希*

Sambonsuge, Shota*; Abe, Shunsuke*; Takahashi, Ryota*; Imaizumi, Kei*; Handa, Hiroyuki*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Kotsugi, Masato*; Okochi, Takuo*; Kinoshita, Toyohiko*; Ito, Shun*; Fukidome, Hirokazu*; Suemitsu, Maki*

回転エピ3C-SiC(111)表面上のグラフェン化機構の解明を目的に、3C-SiC(111)/Si(110)をグラフェン化した表面の化学結合状態を調べた。真空熱処理後のSiC(111)/Si(110)表面からの重水素の昇温脱離スペクトルでは、スペクトル中に出現するC-D/Si-Dピークの割合は1対3であるので、Cリッチな表面であることがわかった。また、同表面からの低速電子回折パターンは33パターンであり、グラフェン化前のC終端6H-SiC(000-1)表面において見られるものと同一であった。以上の結果から、SiC(111)/Si(110)の表面はC終端されていることが示された。

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