SiO/Si(001)界面酸化におけるキャリア捕獲の実験的検証

Experimental evidence of carrier trapping for SiO/Si(001) interfacial oxidation

津田 泰孝   ; 小川 修一*; 吉越 章隆 ; 冨永 亜希; 坂本 徹哉; 山本 善貴*; 山本 幸男*; 高桑 雄二*

Tsuda, Yasutaka; Ogawa, Shuichi*; Yoshigoe, Akitaka; Tominaga, Aki; Sakamoto, Tetsuya; Yamamoto, Yoshiki*; Yamamoto, Yukio*; Takakuwa, Yuji*

Siドライ酸化の初期増速酸化領域では、酸化誘起により生じた点欠陥(空孔+放出Si原子)が支配的な役割を担っていることが明らかにされている。この統合Si酸化反応モデルでは空孔がキャリア捕獲により化学的に活性となり、一段階(Loop A)もしくは二段階(Loop B)の二つの反応経路で酸化が進行する。本研究ではSiO/Si(001)界面酸化におけるキャリア捕獲の役割を実験的に検証するために、n型Si(001)とp型Si(001)表面の酸化過程をXPSでリアルタイム観察し、酸化速度とバンドベンディングを比較した。

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