検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年

Silicon vacancies in 3C-SiC observed by positron lifetime and electron spin resonance

陽電子寿命及び電子スピン共鳴により観測された3C-SiC中のシリコン原子空孔

河裾 厚男; 森下 憲雄; 大島 武; 岡田 漱平; 伊藤 久義; 吉川 正人; 梨山 勇; 吉田 貞史*; 奥村 元*

Kawasuso, Atsuo; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Okada, Sohei; Ito, Hisayoshi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; Yoshida, Sadafumi*; Okumura, Hajime*

陽電子寿命及び電子スピン共鳴測定が、1MeV電子線照射した3C-SiCについて行われた。陽電子寿命と電子スピン共鳴の強度比較より、我々は、マイナス1価にチャージしたシリコン原子空孔の同定に成功した。シリコン原子空孔における陽電子寿命が、188psと初めて決定された。この値は、Brauer等によって与えられた理論値と良く一致している。マイナス1価のシリコン原子空孔による捕獲係数も算出された。

no abstracts in English

Access

:

- Accesses

InCites™

:

パーセンタイル:82.57

分野:Materials Science, Multidisciplinary

Altmetrics

:

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.