Silicon vacancies in 3C-SiC observed by positron lifetime and electron spin resonance

陽電子寿命及び電子スピン共鳴により観測された3C-SiC中のシリコン原子空孔

河裾厚男; 森下憲雄; 大島武; 岡田漱平; 伊藤久義; 吉川正人; 梨山勇; 吉田貞史*; 奥村元*

Kawasuso, Atsuo; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Okada, Sohei; Ito, Hisayoshi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; Yoshida, Sadafumi*; Okumura, Hajime*

陽電子寿命及び電子スピン共鳴測定が、1MeV電子線照射した3C-SiCについて行われた。陽電子寿命と電子スピン共鳴の強度比較より、我々は、マイナス1価にチャージしたシリコン原子空孔の同定に成功した。シリコン原子空孔における陽電子寿命が、188psと初めて決定された。この値は、Brauer等によって与えられた理論値と良く一致している。マイナス1価のシリコン原子空孔による捕獲係数も算出された。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Applied Physics A
巻	:	67
号	:	2
ページ数	:	p.209 - 212
発行年月	:	1998/00
発表会議名	:
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キーワード	:	陽電子寿命; 電子スピン共鳴; 3C-SiC; 原子空孔

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論文URL	:	https://doi.org/10.1007/s003390050759
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InCites™	:	パーセンタイル：82.87 分野：Materials Science, Multidisciplinary
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登録番号 : A19980157
抄録集掲載番号 : 260865
論文投稿番号 : 15815

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