p diodes irradiated with gold ionspダイオードの電荷収集効率の低下大島 武; 佐藤 隆博; 及川 将一; 小野田 忍; 菱木 繁臣; 平尾 敏雄; 神谷 富裕; 横山 琢郎*; 坂本 愛理*; 田中 礼三郎*; 中野 逸夫*; Wagner, G.*; 伊藤 久義
Oshima, Takeshi; Sato, Takahiro; Oikawa, Masakazu; Onoda, Shinobu; Hishiki, Shigeomi; Hirao, Toshio; Kamiya, Tomihiro; Yokoyama, Takuro*; Sakamoto, Airi*; Tanaka, Reisaburo*; Nakano, Itsuo*; Wagner, G.*; Ito, Hisayoshi
炭化ケイ素(SiC)を耐放射線性の粒子検出器へ応用する研究の一環として、六方晶SiC(6H-SiC)npダイオード中に金(Au)イオンが入射したときの電荷収集効率(CCE)を調べた。試料には、p型エピタキシャル膜上にリン注入によりn層を作製したnpダイオードを用い、12MeV-Auイオン入射によるイオン誘起過渡電流(TIBIC)測定を行った。TIBICシグナルを時間積分することで収集電荷量を求めたところ0.10pCであった。一方、Auイオン入射により発生する電荷量を見積もったところ0.195pCと求められ、CCEが約50%であることが明らかとなった。イオン入射によりSiC中に発生する電子-正孔対の濃度を計算したところ、CCEが100%となる酸素やシリコンイオン入射の場合に比べ約二桁高濃度であることが見いだされた。このことより、Auイオン入射では非常に高濃度の電子-正孔対(プラズマ)が発生するためにプラズマ中で電子-正孔対が再結合してしまい、その結果、CCEが低下することが推測される。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 556-557 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.913 - 916 |
発行年月 |
: | 2007/00 |
発表会議名 |
: | 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2006) |
開催年月 |
: | 2006/09 |
開催都市 |
: | Newcastle |
開催国 |
: | U. K. |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
: |
|
|---|---|---|
使用施設 |
: | |
論文解説記事 |
: | |
受委託・共同研究相手機関 |
: |
Access |
: |
- Accesses |
|---|---|---|
InCites™ |
: |
パーセンタイル：76.74 分野：Materials Science, Ceramics |
Altmetrics |
: |
[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.
