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Si(110)-16$$times$$2表面初期酸化過程の放射光光電子分光

Synchrotron radiation photoemission spectroscopy for initial oxidation processes at Si(110)-16$$times$$2 surface

富樫 秀晃*; 山本 喜久*; 後藤 成一*; 高橋 裕也*; 中野 卓哉*; 加藤 篤*; 長谷川 智*; 今野 篤史*; 末光 眞希*; 朝岡 秀人 ; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 成田 克*

Togashi, Hideaki*; Yamamoto, Yoshihisa*; Goto, Seiichi*; Takahashi, Yuya*; Nakano, Takuya*; Kato, Atsushi*; Hasegawa, Satoshi*; Konno, Atsushi*; Suemitsu, Maki*; Asaoka, Hidehito; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Narita, Yuzuru*

本研究では、Si(110)-16$$times$$2清浄表面の酸素ガスによる初期酸化過程を放射光光電子分光法(SR-XPS)によって調べた。SR-XPS測定はSPring-8の原子力機構専用表面化学実験ステーションにて行った。使用した基板はBドープp型Si(110)基板で、抵抗率は8$$Omega$$cmから12$$Omega$$cmである。基板をウェット洗浄処理後に超高真空中で数回1200$$^{circ}$$Cまでフラッシング加熱することにより清浄表面を得た。酸化は酸素圧力10$$^{-6}$$Paから10$$^{-4}$$Pa、基板温度500$$^{circ}$$Cから670$$^{circ}$$Cで行った。同様の酸化条件におけるSi(001)面の酸素吸着曲線に比べて有意に速い初期酸化を示すことがわかった。その急速初期酸化において、Si2pバルク成分のうちSi(110)-16$$times$$2表面の基本構成要素であるペンタゴンペアに関連付けられる成分が著しく減少した。このことから、Si(110)-16$$times$$2表面で見られる急速初期酸化現象は、ペンタゴンペアが優先的に酸化されることで生じたと結論した。

no abstracts in English

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