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Si(110)-16$$times$$2表面初期酸化過程の放射光光電子分光

Synchrotron radiation photoemission spectroscopy for initial oxidation processes at Si(110)-16$$times$$2 surface

富樫 秀晃*; 山本 喜久*; 後藤 成一*; 高橋 裕也*; 中野 卓哉*; 加藤 篤*; 長谷川 智*; 今野 篤史*; 末光 眞希*; 朝岡 秀人  ; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 成田 克*

Togashi, Hideaki*; Yamamoto, Yoshihisa*; Goto, Seiichi*; Takahashi, Yuya*; Nakano, Takuya*; Kato, Atsushi*; Hasegawa, Satoshi*; Konno, Atsushi*; Suemitsu, Maki*; Asaoka, Hidehito; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Narita, Yuzuru*

本研究では、Si(110)-16$$times$$2清浄表面の酸素ガスによる初期酸化過程を放射光光電子分光法(SR-XPS)によって調べた。SR-XPS測定はSPring-8の原子力機構専用表面化学実験ステーションにて行った。使用した基板はBドープp型Si(110)基板で、抵抗率は8$$Omega$$cmから12$$Omega$$cmである。基板をウェット洗浄処理後に超高真空中で数回1200$$^{circ}$$Cまでフラッシング加熱することにより清浄表面を得た。酸化は酸素圧力10$$^{-6}$$Paから10$$^{-4}$$Pa、基板温度500$$^{circ}$$Cから670$$^{circ}$$Cで行った。同様の酸化条件におけるSi(001)面の酸素吸着曲線に比べて有意に速い初期酸化を示すことがわかった。その急速初期酸化において、Si2pバルク成分のうちSi(110)-16$$times$$2表面の基本構成要素であるペンタゴンペアに関連付けられる成分が著しく減少した。このことから、Si(110)-16$$times$$2表面で見られる急速初期酸化現象は、ペンタゴンペアが優先的に酸化されることで生じたと結論した。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

日本表面科学会平成18年度第2回放射光表面科学部会シンポジウム

開催年月

 :

2007/01

開催都市

 :

東京

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

東北大学

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