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佐藤 猛; 武藤 重男; 奥野 浩; 片桐 裕実; 秋山 聖光; 岡本 明子; 小家 雅博; 池田 武司; 根本内 利正; 斉藤 徹; et al.
JAEA-Review 2013-046, 65 Pages, 2014/02
JAEA-Review-2013-046.pdf:11.18MB
原子力機構は、指定公共機関として、国及び地方公共団体その他の機関に対し、災害対策又は武力攻撃事態等への対処において、防災業務計画及び国民保護業務計画に則り、技術支援をする責務を有している。原子力緊急時支援・研修センターは、緊急時には、専門家の派遣、防災資機材の提供、防護対策のための技術的助言等の支援活動を行う。また、平常時には、我が国の防災対応体制強化・充実のために、自らの訓練・研修の他、国、地方公共団体、警察、消防、自衛隊等の原子力防災関係者のための訓練・研修、原子力防災に関する調査研究及び国際協力を実施する。平成24年度においては、上記業務を継続して実施するとともに、国の原子力防災体制の抜本的見直しに対し、これまでに培った経験及び東京電力福島第一原子力発電所事故への対応を通じた教訓等を活かし、国レベルでの防災対応基盤の強化に向け、専門家として技術的な支援を行うとともに、当センターの機能の維持・運営及び国との連携を図った自らの対応能力強化などに取り組んだ。なお、福島事故への対応については、人的・技術的な支援活動の主たる拠点が福島技術本部に移行することとなったため、平成24年9月をもって終了した。
片桐 裕実; 奥野 浩; 岡本 明子; 池田 武司; 田村 謙一; 長倉 智啓; 中西 千佳; 山本 一也; 阿部 美奈子; 佐藤 宗平; et al.
JAEA-Review 2012-033, 70 Pages, 2012/08
JAEA-Review-2012-033.pdf:6.38MB
日本原子力研究開発機構は、災害対策基本法等に基づき「指定公共機関」に指定されており、国及び地方公共団体その他の機関に対し、災害対策又は武力攻撃事態等への対処に関して、技術支援をする責務を有している。原子力緊急時支援・研修センターは、緊急時には、全国を視野に入れた専門家の派遣、防災資機材の提供、防護対策のための技術的助言等の支援活動を行う。また、平常時には、我が国の防災対応体制強化・充実のために、自らの訓練・研修の他、国, 地方公共団体, 警察, 消防, 自衛隊等の原子力防災関係者のための実践的な訓練・研修並びに原子力防災に関する調査研究を実施する。平成23年度においては、上記業務を継続して実施するとともに、平成23年3月11日の東日本大震災により発生した東京電力福島第一原子力発電所の事故対応について、原子力機構が実施する人的・技術的な支援活動の拠点として、原子力緊急時支援・研修センターを機能させた。各部署と連携を取りながら原子力機構の総力を挙げて、国,地方公共団体の支援要請を受け、事業者が対応する復旧にかかわる技術的検討、住民保護のためのさまざまな支援活動や、特殊車両・資機材の提供を継続して実施した。
N
/Ge structures formed by plasma nitridation細井 卓治*; 朽木 克博*; 岡本 学*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 志村 考功*; 渡部 平司*
Japanese Journal of Applied Physics, 50(10), p.10PE03_1 - 10PE03_5, 2011/10
被引用回数：11 パーセンタイル：42.51(Physics, Applied)Chemical bonding states and energy band alignment of pure germanium nitride (GeN) formed on a Ge(100) substrate were characterized by synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SR-PES). The core-level shift of 2.31 eV originating from Ge-N bonds (Ge
) with respect to the bulk Ge 3d
peak (Ge
) was determined. In situ SR-PES study on changes in Ge 3d, N 1s, and O 1s core-level spectra during thermal annealing revealed that oxidized surface layer on GeN could be selectively removed at around 773 K, which was 50 deg lower than the decomposition temperature of GeN. The GeN energy bandgap of 3.68 eV was experimentally determined. The valence band offset at a GeN/Ge(100) interface was also estimated to be 1.65 eV, and thus, the energy band alignment between GeN dielectrics and Ge substrate was determined.
岡本 清美*; 佐藤 正寛*; 奥西 巧一*; 坂井 徹; 糸井 千岳*
Physica E, 43(3), p.769 - 772, 2011/01
被引用回数：5 パーセンタイル：23.95(Nanoscience & Nanotechnology)3本の量子スピン鎖が結合したスピンナノチューブの磁化過程について、有限系の数値的厳密対角化と密度行列繰り込み群法によって理論的に解析した。その結果、鎖間の結合が十分に大きい場合には、飽和磁化の3分の1のところに磁化プラトーが現れることがわかった。また、鎖間の結合が非対称になる格子ひずみがある場合には、磁化プラトー形成のメカニズムが2種類あることも判明し、メカニズムの違いによる磁化プラトーの相図を得ることに成功した。
坂井 徹; 佐藤 正寛*; 岡本 清美*; 奥西 巧一*; 糸井 千岳*
Journal of Physics; Condensed Matter, 22(40), p.403201_1 - 403201_13, 2010/10
被引用回数：37 パーセンタイル：39.53(Physics, Condensed Matter)スピンナノチューブについての最近の理論的研究をレビューする。特に、S=1/2 3本鎖スピンチューブに焦点をあてる。3本鎖スピンラダーと違って、正三角形のユニットセルを持つスピンチューブはスピンギャップが開いている。ハバード模型に基づく有効理論によると、このユニットセルが二等辺三角形になる格子ひずみによりスピンギャップが消失する量子相転移が起きることが予測される。このことは、数値対角化と密度行列繰り込み群による数値解析により立証された。さらに、われわれは新しい磁場誘起秩序として、ネール秩序,ダイマー秩序,カイラル秩序,不均一秩序などが生じることや、新しいメカニズムによる磁化プラトー現象が起きることも、理論的に示すことに成功した。最近合成された実際のスピンチューブ物質についても簡単にレビューする。
坂井 徹; 奥西 巧一*; 岡本 清美*; 糸井 千岳*; 佐藤 正寛*
Journal of Low Temperature Physics, 159(1-2), p.55 - 59, 2010/04
被引用回数：8 パーセンタイル：36.06(Physics, Applied)S=1/2三本鎖スピンナノチューブに対する数値的厳密対角化と密度行列繰り込み群による数値解析により、この系の非対称性によって異なる二つのメカニズムにより、飽和磁化の3分の1のところに磁化プラトーが現れることが判明した。
ゲー卜絶縁膜を用いたGe MOSデバイスの界面設計細井 卓治*; 岡本 学*; 朽木 克博*; 景井 悠介*; Harries, J.; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 志村 考功*; 渡部 平司*
応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告, p.145 - 148, 2010/01
われわれはリーク電流を減少させて優れた界面特性を持った高品質のhigh-
/Geゲートスタックを開発した。この製作にはGe基板上への直接ZrOデポジションとその加熱酸化が行われた。放射光光電子分光によると、ZrO/Ge構造の823Kでの熱酸化はZrOとGeの相互拡散がかりでなく、GeO界面層の生成をもたらした。等価酸化膜厚(EOT)は1.9nmで、界面準位密度はAu/ZrO/Geキャパシタで10
cm
eV
と小さかった。さらに、Zr0層上にA10を形成するとさらにEOTを小さくできることを見いだした。界面準位密度はAlO/ZrO/Geの30分の加熱で5.3
10
cmeVであった。10分加熱では1.6nmまでEOTを低減できた。その場合のリーク電流は従来のpoly-Si/SiO/Siスタックに比べて二桁低い。
坂井 徹; 佐藤 正寛*; 奥西 巧一*; 大塚 雄一*; 岡本 清美*; 糸井 千岳*
Physical Review B, 78(18), p.184415_1 - 184415_11, 2008/11
被引用回数：48 パーセンタイル：82.82(Materials Science, Multidisciplinary)対称性の破れた構造を持つS=
三本鎖スピンチューブの量子相転移を理論的に解析した。われわれは、電子系チューブに基づく新しい有効理論を提案し、広域に渡る相図を導くことに成功した。密度行列繰り込み群による詳細な解析により、正三角形の対称性に近い狭い領域でスピンギャップが出現し、対称性の破れた構造では急激に消失することが判明した。
坂井 徹; 佐藤 正寛*; 奥西 巧一*; 岡本 清美*; 糸井 千岳*
no journal, ,
S=1/23本鎖スピンチューブは強いフラストレーションによりスピンギャップを持つ。数値的厳密対角化法と密度行列繰り込み群法(DMRG)を用いて、非対称な相互作用によって誘起されるスピンギャップ相とギャップレス相の間の量子相転移が起きることを理論的に解明した。また、強磁場中でも幾つかの興味深い現象が起きることもわかった。磁場中の性質について同じ解析をすることにより、十分強い鎖間相互作用のある場合には、相互作用の非対称性に依存した二つの異なるメカニズムにより、3分の1磁化プラトーが現れることも示された。
N膜の化学結合状態及び熱脱離過程のその場観察細井 卓治*; 朽木 克博*; 岡本 学*; 原田 真*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 志村 考功*; 渡部 平司*
no journal, ,
HF洗浄したp-Ge(001)基板を超高真空中で加熱クリーニングした後、大面積窒素プラズマ処理装置を用いて基板温度623K・高周波電力50W・窒素分圧10.5Torrで30分間の窒化処理を施した。その窒化膜の化学結合状態及び熱脱離過程を放射光XPSでその場観察した。清浄Ge表面のXPSスペクトルから、Ge3d5/2と3/2の結合エネルギーは29.2eVと29.8eVであった。高密度プラズマにより窒化した試料は大気暴露により窒化膜表面が酸化されるため、熱処理前の試料ではGeの窒化成分と酸化成分の両方が存在する。773Kの真空中加熱処理によりGeO成分のみが選択的に熱脱離し、純GeN膜のXPSスペクトルが得られた。これより、窒化GeはGe3d5/2ピーク位置から2.2eV化学シフトすることがわかった。
坂井 徹; 佐藤 正寛*; 奥西 巧一*; 岡本 清美*; 糸井 千岳*
no journal, ,
最近チューブ状の格子形を持つ量子スピン系、スピンナノチューブが幾つか合成された。これらは、カーボンナノチューブ同様、興味ある低次元系として期待されている。このスピンナノチューブの理論的研究の第1歩として、最も単純なスピン1/2三本鎖スピンチューブについて、密度行列繰り込み群法(DMRG)と数値的厳密対角化(ED)で解析した結果を報告する。特に、ユニットセルの三角形が正三角形から二等辺三角形に変わる格子ひずみに着目した。この二等辺三角スピンチューブでは、さまざまなエキゾティックな量子相転移が起きることがわかった。
坂井 徹; 佐藤 正寛*; 奥西 巧一*; 岡本 清美*; 糸井 千岳*; 中野 博生*
no journal, ,
S=1/2スピンナノチューブについて、数値対角化と密度行列繰り込み群の手法を用いて理論的に研究した。その結果、足方向と桁方向の交換相互作用の差について、新しい量子相転移を発見した。またキャリア・ドープしたスピンチューブの興味深い量子現象についても議論する。
N/Ge structures formed by plasma nitridation細井 卓治*; 朽木 克博*; 岡本 学*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 志村 考功*; 渡部 平司*
no journal, ,
Atomic structure and thermal stability of GeN dielectric layers for advanced Ge-MIS devices were investigated. SR-PES analysis revealed that GeN layers formed by high-density plasma nitridation are thermally stable up to 823 K, while surface oxides selectively decompose at around 773 K. Chemical shift originating from Ge-N bonds (Ge) was also found to be 2.3 eV.
朽木 克博*; 岡本 学*; 秀島 伊織*; 上西 悠介*; 桐野 嵩史*; Harries, J.; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 細井 卓治*; 志村 考功*; et al.
no journal, ,
高性能Geデバイスの実現には、高誘電率絶縁膜形成とその界面制御技術の確立が必須である。ZrO薄膜をGe基板上に堆積し、その後熱酸化処理を施したスタックは、優れたMOS界面特性を示す一方で、GeO界面層が形成されることにより等価SiO換算膜厚(EOT: Equivalent Oxide Thickness)が2nm以上となってしまう。本研究では、高密度プラズマ窒化により形成したGeN膜の優れた熱的安定性・耐酸化性に注目し、ZrO/Ge3N/Ge構造を作製し、熱処理後の界面構造について大型放射光施設SPring-8のBL23SUを用いて光電子分光法により評価した。Ge3d及びN1s内殻準位スペクトルの高分解能測定から、823Kの熱酸化処理によって界面GeN層はわずかに酸化するものの安定に存在することを確認し、また1.8nmのEOTを実現した。
/4H-SiC構造の伝導帯オフセット評価桐野 嵩史*; 景井 悠介*; 岡本 学*; Harries, J.; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 箕谷 周平*; 中野 佑紀*; 中村 孝*; 細井 卓治*; et al.
no journal, ,
4H-SiC基板上に形成した熱酸化SiO/SiC構造は、水素を導入することにより界面特性が向上する一方で、基板面方位によっては信頼性が劣化することが知られている。そこで、4H-SiC(000-1)C面及び(0001)Si面基板上に形成した熱酸化SiO/SiCについて、高温水素ガスアニールを施す前後でのエネルギーバンド構造を評価するため、放射光XPSによりO1sエネルギー損失スペクトルからSiOのバンドギャップを、価電子帯スペクトルよりSiO/SiC価電子帯オフセットを算出した。その結果、(000-1)C面上に形成した酸化膜の伝導帯オフセットは水素ガスアニールにより0.1eV減少することがわかった。
/Ge gate stacks by post-deposition annealing and AlO capping layers渡部 平司*; 岡本 学*; 朽木 克博*; Harries, J.; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 細井 卓治*; 志村 考功*
no journal, ,
High-k絶縁膜としてZrO膜をGe基板上に堆積した後に熱酸化処理を施すことでGe-MOSの界面設計を検討した。放射光XPS分析の結果、酸化初期では界面でミキシングが起こり、その後にGeO層が成長することを確認した。一方、AlO/ZrO/Ge構造では、AlO膜の低い酸素透過性により熱酸化時の界面酸化反応が抑制され、EOTの薄層化に有効であることを確認した。
坂井 徹; 佐藤 正寛*; 奥西 巧一*; 岡本 清美*; 糸井 千岳*
no journal, ,
最近チューブ状の格子形を持つ量子スピン系、スピンナノチューブが幾つか合成された。これらは、カーボンナノチューブ同様、興味ある低次元系として期待されている。このスピンナノチューブの理論的研究の第1歩として、最も単純なスピン1/2三本鎖スピンチューブについて、密度行列繰り込み群法(DMRG)と数値的厳密対角化(ED)で解析した結果を報告する。特に、ユニットセルの三角形が正三角形から二等辺三角形に変わる格子と外部磁場に着目した。従来の数値解析によると、この系は飽和磁化の3分の1のところで、磁化プラトーが生じることが確かめられていたが、このプラトーのメカニズムは、格子ひずみの性質によることがわかった。また、磁場によって誘起されるカイラル秩序を伴う対称性の破れが起きることがわかった。
坂井 徹; 佐藤 正寛*; 奥西 巧一*; 岡本 清美*; 糸井 千岳*
no journal, ,
S=1/2三本鎖スピンチューブの三本の桁方向の交換相互作用を、正三角形から二等辺三角形に変形する模型において、3分の1磁化プラトー状態を密度行列繰りこみ群と数値対角化で解析した結果、正三角形に近い領域で、スタガード磁化,カイラル秩序などの共存相が現れることがわった。
坂井 徹; 奥西 巧一*; 大塚 雄一*; 岡本 清美*; 佐藤 正寛*; 糸井 千岳*
no journal, ,
スピンナノチューブについて、数値的厳密対角化と密度行列繰り込み群を用いて理論的に解析した。その結果、格子ひずみが生じると、スピンギャップ相とギャップレス相の間の量子相転移が起きることがわかった。また、スピンギャップによって誘起される超伝導についても議論する。
坂井 徹; 佐藤 正寛*; 奥西 巧一*; 大塚 雄一*; 岡本 清美*; 糸井 千岳*
no journal, ,
非対称な鎖間(桁)交換相互作用を持つS=1/2スピンチューブの量子相転移について理論的に調べた結果を報告する。電子系チューブを基礎として、われわれは新しい有効理論を作り、この非対称スピンチューブの包括的な相図を得た。さらに、他の有効理論によりその相図の正当性を確認した。また密度行列繰り込み群と有限系の数値的厳密対角化という数値解析により、桁相互作用が高い対称性を持つライン付近において、有限の領域でスピンギャップが開いていることを示すことに成功した。
