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真空中熱処理によるダイヤモンド(111)表面の化学結合状態変化の温度依存

Temperature dependence of chemical bonding states during annealing on diamond (111) surfaces

小川 修一*; 山田 貴壽*; 石塚 眞治*; 吉越 章隆 ; 加賀 利瑛*; 穂積 英彬*; 長谷川 雅考*; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*

Ogawa, Shuichi*; Yamada, Takatoshi*; Ishizuka, Shinji*; Yoshigoe, Akitaka; Kaga, Toshihide*; Hozumi, Hideaki*; Hasegawa, Masataka*; Teraoka, Yuden; Takakuwa, Yuji*

本研究では、水素終端ダイヤモンド(111)表面を初期表面とし、真空加熱処理によるsp$$^{2}$$/sp$$^{3}$$成分や表面電子状態の変化を、放射光を用いた光電子分光法でその場観察した。実験はSPring-8のBL23SUに設置されている表面反応解析装置を用いて行った。水素終端ダイヤモンド(111)表面を真空中で加熱し、C1s光電子スペクトルとそのエネルギー損失スペクトルの温度依存を測定した。水素終端ダイヤモンド(111)表面のアニールでは、800$$^{circ}$$Cで表面に非晶質のsp$$^{2}$$結合炭素が形成され、900$$^{circ}$$Cで非晶質sp$$^{2}$$結合炭素がグラファイト化することがわかった。

no abstracts in English

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