リスクコミュニケーション実施上の課題の研究; 平成28年度(委託研究)

田中 勝*; 河原 長美*; 石坂 薫*; 大畑 ゆき*; 福池 伊織*; 川瀬 啓一; 時澤 孝之; 宮川 洋*; 石森 有

JAEA-Research 2018-001, 98 Pages, 2018/06

JAEA-Research-2018-001.pdf:2.49MB

平成28年度は、最近の一般廃棄物処分場の建設事例を調査し、環境保全・回復事業等が地域や一般に受け入れられるために必要な施策やコミュニケーションの条件を調査した。その結果、(1)事業者と地域との間で長期にわたる良好な関係が築かれていること、あるいは取り決めが存在すること、(2)事業者が立地選定や施設内容の決定プロセスにおいて複数代替案を合理的に検討し、地域に選定・決定理由の説明ができること、(3)計画公表後であっても、地域の関心や要望に応じて計画を変更できる余地があること、(4)事業が跡地利用を含む地域づくりに向けたコミュニケーションの契機となること、の重要性が示唆された。

リスクコミュニケーション実施上の課題の研究(委託研究)

田中 勝*; 青山 勲*; 石坂 薫*; 大畑 ゆき*; 福池 伊織*; 宮川 洋*; 石森 有

JAEA-Research 2016-017, 76 Pages, 2017/01

JAEA-Research-2016-017.pdf:10.57MB

日本原子力研究開発機構人形峠環境技術センターでは、1955年のウラン鉱床露頭発見以降、ウランの探鉱、採鉱、製錬・転換、濃縮に係る研究技術開発事業や、2001年以降の廃止措置事業を通じて、50年以上にわたって地域とのコミュニケーションの経験を重ねてきた。数十年を超える長期に展開するようなウラン鉱山跡措置を含む廃止措置事業が主要業務となっているセンターにとって、地域とどのような関係を築き、さらにそれを形骸化させず、どのように継続できるかが特に重要なリスクコミュニケーション上の課題であると考えている。このような課題解決に資するため、センターの事業と類似した国内の事例を調査し、センターで現在行われている取組と比較して、今後センターで必要になる取組などについて検討した。

Ge diffusion and bonding state change in metal/high-/Ge gate stacks and its impact on electrical properties

細井 卓治*; 秀島 伊織*; 田中 亮平*; 箕浦 佑也*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 志村 考功*; 渡部 平司*

Microelectronic Engineering, 109, p.137 - 141, 2013/09

https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.115

Ge diffusion and chemical bonding states in metal/high-/Ge gate stacks were investigated by synchrotron photoemission spectroscopy to understand their impact on electrical properties. Although Hf germanide was found in HfO/GeO/Ge gate stacks, such germanide could be fully oxidized by using plasma-assisted oxidation. However, Al electrode on HfO/GeO/Ge stacks reduced interfacial GeO layer, resulting in the formation of Al germanide at the Al/HfO interface. No germanide was formed in the stacks with inert Pt electrode, suggesting the Al layer may promote upward diffusion of GeO molecules through the HfO layer. Hf germanide was formed near the HfO/GeO interface probably due to Ge intermixing with the HfO layer in the Pt-gate stacks, in contrast to the enhanced formation of Al germanide in Al-gate stacks. The formation of metal germanide led to severe degradation of insulating properties in metal/high-/Ge stacks.

Current status of the control system for J-PARC accelerator complex

吉川 博; 榊 泰直; 佐甲 博之; 高橋 博樹; Shen, G.; 加藤 裕子; 伊藤 雄一; 池田 浩*; 石山 達也*; 土屋 仁*; et al.

Proceedings of International Conference on Accelerator and Large Experimental Physics Control Systems (ICALEPCS '07) (CD-ROM), p.62 - 64, 2007/10

J-PARCは多目的科学研究のために日本で建設されている大規模陽子加速器施設である。この施設は3つの加速器と3つの実験施設から成り、現在建設中である。リニアックは稼動開始して1年が経過し、3GeVシンクロトロンはこの10月1日に試験運転が開始されたところで、施設全体の完成は来年の夏の予定である。加速器の制御システムは、初期の試運転に必要な性能を実現させた。この制御システムに求められる最も重要な機能は加速器構成機器の放射化を最小限に食い止めることである。この論文では、調整運転の初期の段階において、制御システムの各部分が達成した性能を示す。

線量評価に必要な基礎物理データ

坂本 幸夫; 田中 俊一; 中島 宏; W.Pairsuwan*; 義澤 宣明*; 佐藤 理*; 降旗 志おり*; 上原 丘*; 岩井 敏*

JAERI-Conf 95-007, 0, p.48 - 56, 1995/03

https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-Conf-95-007.pdf

高エネルギー加速器施設の設計や有人宇宙活動の安全評価において、高エネルギー放射線による被曝線量評価が重要になりつつある。高エネルギー放射線の線量当量換算を評価するための計算コードと必要なデータについて述べる。中性子及び光子の断面積データ、吸収線量を算出するためのカーマ係数及び吸収線量から線量当量へ変換するための線質データの現状を述べる。さらにこれらのデータを用いた平板ファントム及びICRU球での中性子に対する1cm線量の計算結果を文献値と比較し、データの有効性を確認した。

高エネルギー放射線の線量当量換算係数基礎データの整備,II; 高エネルギー荷電粒子のQ評価方法の開発および高エネルギー光子の線量当量換算係数評価

佐藤 理*; 降籏 志おり*; 上原 丘*; 義澤 宣明*; 岩井 敏*; 田中 俊一; 坂本 幸夫

JAERI-M 93-147, 90 Pages, 1993/07

JAERI-M-93-147.pdf:2.53MB

はじめに10GeVまでの中性子と光子の線量当量換算係数を評価するために必要な計算コードシステムと必要な基礎データの調査検討を行った。その結果、HERMESコードシステムに荷電粒子の実効的な線質係数を組み込むことにより、実効線量を評価可能であることがわかった。次に、中性子の線量当量換算係数評価のための基礎データとして必要な人体構成元素の荷電粒子について、実効的な線質係数の算定法の確立を行った。なお、HERMESコードシステム中のEGS-4コードを用いて実効線量とICRU球中の主軸上の線量当量の評価を行い、高エネルギー光子に対するICRU球ファントムの有効性の検討を行った。

One dimensional ecosystem model in the northern Japan Sea based on an operational ocean forecast system

渡邊 達郎*; 高山 勝巳*; 川村 英之; 田中 伊織*

no journal, , 

日本海北部における基礎生産の季節変動と鉛直分布を解明するために、日本海海況予報システムに基づいた一次元低次生態系モデルを開発した。低次生態系モデルには、データ同化を適用した海況予報システムの2003年から2008年の北海道西岸域における水温と鉛直拡散係数の計算結果の平均値を入力した。モデルの計算結果は、硝酸塩・植物プランクトン・動物プランクトンの季節変動と鉛直分布を現実的に再現していた。例えば、植物プランクトンの増殖が原因となる春季ブルーミングは、観測結果と同様に、海面から水深50 mの間で4月上旬に発生し、その時の植物プランクトン濃度は1.510molN/lとなった。その後、水深40 m付近に濃度の極大が形成され、秋季までにその水深は深くなり、11月末には表層で弱い秋季ブルーミングが起こるという季節変動を示した。

MBD法により作製したMetal/High-k/GeO/Geスタックの熱処理による構造変化

秀島 伊織*; 田中 亮平*; 箕浦 佑也*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*

no journal, , 

本研究ではAl/HfO/GeO/Ge構造を作製し、熱処理による構造変化を放射光光電子分光法によりその場分析した。熱処理前にGe3sスペクトルおいて基板のGeよりも低結合エネルギーにAl-Ge結合に帰属すると考えられる成分を見いだした。Ge3sスペクトルのGe酸化物成分及びAl-Ge成分の熱処理温度依存性の結果から、300C以上の熱処理でAl電極中へGeO分子が拡散し、Al-Ge結合が増大すると解釈した。

High-k/Ge gate stack with an EOT of 0.56 nm by controlling interface reaction using ultrathin AlO interlayer

細井 卓治*; 秀島 伊織*; 田中 亮平*; 箕浦 佑也*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 志村 考功*; 渡部 平司*

no journal, , 

Metal/high-k gate stacks on Ge channel with less than 0.7 nm EOT must be developed to realize 15-nm-node CMOS devices. Recently, a Ge-MOSFET operation with 0.7 nm EOT has been demonstrated using a HfO/AlO/GeO/Ge gate stack formed by plasma oxidation through the HfO/AlO stack. The plasma oxidation of HfO/Ge resulted in the relatively degraded insulating and interface properties. This suggests that underlying AlO layer is beneficial in improving the high-k and GeO interlayers. However, the role of AlO layer in HfO/AlO/GeO/Ge stack is not well understood. We systematically investigated an effect of AlO interlayer on EOT scaling focusing on the Ge diffusion into the HfO layer by synchrotron radiation photoemission spectroscopy and electrical characterization. We achieved 0.56 nm EOT with 5 orders of magnitude lower leakage current compared to the poly-Si/Si stack.